Intel 4工艺Meteor Lake 14代酷睿晶圆首秀:2023年发布
intel今天宣布了,一个最核心的变化就是改名:10nm enhanced superfin改名为intel 7,7nm改名为intel 4,未来还有intel 3,以及全新晶体管架构的intel 20a、intel 18a。
intel表示,此前的工艺节点命名规则始于1997年,都是以实际的栅极宽度来定义(xxnm),但是近些年来,工艺命名和栅极宽度已经不匹配,因此intel启用了新的命名方式,便于产业、客户、消费者理解。
intel 7工艺号称能耗比相对于10nm superfin提升大约10-15%,今年底的alder lake 12代酷睿首发,明年第一季度还有sapphire rapids四代可扩展至强。
intel 4工艺全面引入euv极紫外光刻,能效比再提升大约20%,明年下半年投产,2023年产品上市。
首发消费级产品是meteor lake,已在今年第二季度完成计算单元的六篇,数据中心产品则是granite rapids。
meteor lake预计将隶属于14代酷睿家族,它之前还有一代raptor lake,后者也是intel 7工艺。
今天的会议上,intel也首次展示了meteor lake的测试晶圆,除了新工艺还有foveros 3d立体封装。
这一代,也将是intel消费级处理器第一次放弃完整的单颗芯片,引入不同工艺、不同ip的模块,借助新的封装技术,整合在一起。
再往后,intel 3工艺进一步优化finfet、提升euv,能效比继续提升大约18%,还有面积优化,2023年下半年投产。
它也是最后一代finfet晶体管,2011年的22nm二代酷睿ivy bridge第一次引入。
之后就是后纳米时代了,工艺命名又改了新的规则,首先是intel 20a,拥有两项革命性技术,ribbonfet就是类似三星的gaa环绕栅极晶体管,poervia则首创取消晶圆前侧的供电走线,改用后置供电,也可以优化信号传输。2024年投产。
接下来是intel 18a,预计2025年初投产,继续强化ribbonfet,还有下一代高na euv光刻,与asml合作。
传统晶圆(左)、powervia晶圆(右)供电和信号走线对比:图片上方对应晶圆前侧
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