Intel 4工艺Meteor Lake 14代酷睿晶圆首秀：2023年发布

intel今天宣布了，一个最核心的变化就是改名：10nm enhanced superfin改名为intel 7，7nm改名为intel 4，未来还有intel 3，以及全新晶体管架构的intel 20a、intel 18a。

intel表示，此前的工艺节点命名规则始于1997年，都是以实际的栅极宽度来定义(xxnm)，但是近些年来，工艺命名和栅极宽度已经不匹配，因此intel启用了新的命名方式，便于产业、客户、消费者理解。

intel 7工艺号称能耗比相对于10nm superfin提升大约10-15％，今年底的alder lake 12代酷睿首发，明年第一季度还有sapphire rapids四代可扩展至强。

intel 4工艺全面引入euv极紫外光刻，能效比再提升大约20％，明年下半年投产，2023年产品上市。

首发消费级产品是meteor lake，已在今年第二季度完成计算单元的六篇，数据中心产品则是granite rapids。

meteor lake预计将隶属于14代酷睿家族，它之前还有一代raptor lake，后者也是intel 7工艺。

今天的会议上，intel也首次展示了meteor lake的测试晶圆，除了新工艺还有foveros 3d立体封装。

这一代，也将是intel消费级处理器第一次放弃完整的单颗芯片，引入不同工艺、不同ip的模块，借助新的封装技术，整合在一起。

再往后，intel 3工艺进一步优化finfet、提升euv，能效比继续提升大约18％，还有面积优化，2023年下半年投产。

它也是最后一代finfet晶体管，2011年的22nm二代酷睿ivy bridge第一次引入。

之后就是后纳米时代了，工艺命名又改了新的规则，首先是intel 20a，拥有两项革命性技术，ribbonfet就是类似三星的gaa环绕栅极晶体管，poervia则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。2024年投产。

接下来是intel 18a，预计2025年初投产，继续强化ribbonfet，还有下一代高na euv光刻，与asml合作。

ribbonfet晶体管

powervia

传统晶圆(左)、powervia晶圆(右)供电和信号走线对比：图片上方对应晶圆前侧

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