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瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次

程序员文章站 2022-04-24 11:53:27
近日,瑞芯微发布了两颗全新的通用快充协议芯片,分别是rk835、rk837。rk835通过了pd2.0、pd3.0、pps认证,编号tid 4325,支持qc 2.0、qc 3.0、qc 4.0、qc...

近日,瑞芯微发布了两颗全新的通用快充协议芯片,分别是rk835、rk837。

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次

rk835通过了pd2.0、pd3.0、pps认证,编号tid 4325,支持qc 2.0、qc 3.0、qc 4.0、qc 4.0+、vooc快充协议,能够快速便捷与各类电源芯片对接,支持18w-100w输出。

内部集成arm cortex-m0内核、60kb flash、1kb ram,从而实现对pd和其他专有快充协议的支持,可以承受10万次以上的重复烧录。

它可用于电源角色的usb type-c和pd物理层,并支持e-marker线缆供电,超低功耗模式下耗电量低于10μa。

核心特性:

- 内部集成adc,可连续检测电压、电流、温度,以及通过gpio引脚反馈的系统参数

- 所有的gpio均可配置成边缘触发中断,dp/dm引脚可配置uart模式和bc1.2模式

- 支持i2c接口和主从模式,集成输出放电功能

- dp/dm/cc1/cc2引脚均支持24v耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,并内置过流、过压、过热保护

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次
rk835+ac-dc典型应用电路

rk837除了通过pd2.0/pd3.0/pps认证(tid 5141),还通过了高通qc4+认证,证书编号20210303222。

内部集成flash、ram分别增加到64kb、2kb,同样支持10万次以上的重复烧录。

核心特性:

- 支持usb type-c和type-a双接口,支持i2c接口

- 集成nmos驱动,vbus开关管可使用低成本性能好的nmos,内部集成快速放电电路

- 内部集成高精度adc,可实现3-22v以10mv精度输出,使用5mω取样电阻,可实现0.1-12a以12ma精度恒流

- dp/dm/cc1/cc2引脚均支持26v耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,并内置过流、过压、过热保护

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次
rk837应用电路

 

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