欢迎您访问程序员文章站本站旨在为大家提供分享程序员计算机编程知识!
您现在的位置是: 首页  >  移动技术

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次

程序员文章站 2022-06-09 15:54:30
近日,瑞芯微发布了两颗全新的通用快充协议芯片,分别是rk835、rk837。rk835通过了pd2.0、pd3.0、pps认证,编号tid 4325,支持qc 2.0、qc 3.0、qc 4.0、qc...

近日,瑞芯微发布了两颗全新的通用快充协议芯片,分别是rk835、rk837。

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次

rk835通过了pd2.0、pd3.0、pps认证,编号tid 4325,支持qc 2.0、qc 3.0、qc 4.0、qc 4.0+、vooc快充协议,能够快速便捷与各类电源芯片对接,支持18w-100w输出。

内部集成arm cortex-m0内核、60kb flash、1kb ram,从而实现对pd和其他专有快充协议的支持,可以承受10万次以上的重复烧录。

它可用于电源角色的usb type-c和pd物理层,并支持e-marker线缆供电,超低功耗模式下耗电量低于10μa。

核心特性:

- 内部集成adc,可连续检测电压、电流、温度,以及通过gpio引脚反馈的系统参数

- 所有的gpio均可配置成边缘触发中断,dp/dm引脚可配置uart模式和bc1.2模式

- 支持i2c接口和主从模式,集成输出放电功能

- dp/dm/cc1/cc2引脚均支持24v耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,并内置过流、过压、过热保护

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次
rk835+ac-dc典型应用电路

rk837除了通过pd2.0/pd3.0/pps认证(tid 5141),还通过了高通qc4+认证,证书编号20210303222。

内部集成flash、ram分别增加到64kb、2kb,同样支持10万次以上的重复烧录。

核心特性:

- 支持usb type-c和type-a双接口,支持i2c接口

- 集成nmos驱动,vbus开关管可使用低成本性能好的nmos,内部集成快速放电电路

- 内部集成高精度adc,可实现3-22v以10mv精度输出,使用5mω取样电阻,可实现0.1-12a以12ma精度恒流

- dp/dm/cc1/cc2引脚均支持26v耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,并内置过流、过压、过热保护

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次

瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次
rk837应用电路

 

- the end -

转载请注明出处:快科技

相关标签: #瑞芯微 #快充