美国反对：SK海力士无锡工厂引进EUV光刻机受阻

近期路透社曾报道，韩国存储芯片大厂sk海力士在江苏无锡工厂引进euv光刻机的计划可能面临搁浅，原因是美国方面反对euv光刻机这类先进设备进入*。

这一问题之前在sk海力士内部引起了相当程度的关注，以至于ceo李锡熙在7月访问华盛顿期间向美国官员提出了相关关切，不过短期来看阻力显然不小。

李锡熙在11月22日的一场活动上表示，（基于euv的）第四代dram芯片从7月开始在韩国生产，要在中国工厂应用相同的技术还有很长的路要走，将在与相关方面合作的同时明智地应对此事。

此前sk海力士宣布，将在未来5年内斥资约43亿美元，持续从阿斯麦采购euv光刻机。

其在韩国本土的工厂已经引进euv光刻技术，并于去年7月开始成功量产基于euv的10nm第四代dram芯片；计划引入无锡工厂的euv光刻机也将用于生产10nm dram芯片。

据悉，sk海力士在无锡工厂所生产的dram内存芯片占其产量的约一半，占全球总产量的15%。

因此，设备升级受阻或将对市场产生重大影响，也将使sk海力士在与三星、美光的竞争中处于劣势。

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