中芯国际40nm工艺的ReRAM存储芯片出样:读取速度比NAND快1000倍

目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3d xpoint芯片外还有reram芯片（非易失性阻变式存储器）。

2016年3月，crossbar公司宣布与中芯国际达成合作，发力中国市场。其中，中芯国际将采用自家的40nm cmos试产reram芯片。

近日，两者合作的结晶终于诞生，中芯国际正式出样40nm工艺的reram芯片。

据介绍，这种芯片比nand芯片性能更强，密度比dram内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现tb级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。

另外，按计划更先进的28nm工艺reram芯片也将在2017年上半年问世。