中芯国际40nm工艺的ReRAM存储芯片出样:读取速度比NAND快1000倍
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2022-07-09 12:16:20
中芯国际40nm工艺的ReRAM存储芯片出样:读取速度比NAND快1000倍近日,两者合作的结晶终于诞生,中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片,据介绍,这种芯片比NAND芯片性能更强,密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高100... 17-01-14...
目前在下一代存储芯片的研发当中,除了3d xpoint芯片外还有reram芯片(非易失性阻变式存储器)。
2016年3月,crossbar公司宣布与中芯国际达成合作,发力中国市场。其中,中芯国际将采用自家的40nm cmos试产reram芯片。
近日,两者合作的结晶终于诞生,中芯国际正式出样40nm工艺的reram芯片。
据介绍,这种芯片比nand芯片性能更强,密度比dram内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片(200mm2左右)即可实现tb级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。
另外,按计划更先进的28nm工艺reram芯片也将在2017年上半年问世。