三星提升QLC闪存性能:写入可达320MB/s 重新超越机械硬盘
程序员文章站
2022-04-02 12:47:03
随着闪存的发展,如今廉价、大容量的ssd几乎都要上qlc闪存了,这让消费者很不爽,因为qlc闪存不仅可靠性差,而且性能也慢很多,没有缓存加速的时候,性能甚至跑不过hdd机械硬盘。qlc闪存性能差是先天...
随着闪存的发展,如今廉价、大容量的ssd几乎都要上qlc闪存了,这让消费者很不爽,因为qlc闪存不仅可靠性差,而且性能也慢很多,没有缓存加速的时候,性能甚至跑不过hdd机械硬盘。
qlc闪存性能差是先天性的,如果用光了缓存容量空间,现在的qlc闪存真实写入速度也就100mb/s,三星的870 qvo硬盘之前有人实测过,拷贝文件的速度也就160mb/s,这个速度甚至还不如一些hdd机械盘快。
三星也注意到这个问题了,未来也会重点关注qlc闪存的性能,目前他们使用的qlc闪存主要还是96层堆栈的v5 qlc,明年会跳过v6 qlc,直接进入176层的v6 qlc闪存时代。
根据三星所说,新一代qlc闪存性能好得多,写入速度2.7倍、读取速度也有2.6倍,不过这是针对v4 qlc闪存的,相比现在的v5 qlc大概能提升一倍,意味着写入性能可提升到320mb/s。
不考虑缓存加速,320mb/s的原始写入性能已经相当可观了,足以让ssd性能重新超过hdd硬盘,并且跟tlc闪存一较高下,相关产品预计在明年上市。
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