三星提升QLC闪存性能：写入可达320MB/s 重新超越机械硬盘

随着闪存的发展，如今廉价、大容量的ssd几乎都要上qlc闪存了，这让消费者很不爽，因为qlc闪存不仅可靠性差，而且性能也慢很多，没有缓存加速的时候，性能甚至跑不过hdd机械硬盘。

qlc闪存性能差是先天性的，如果用光了缓存容量空间，现在的qlc闪存真实写入速度也就100mb/s，三星的870 qvo硬盘之前有人实测过，拷贝文件的速度也就160mb/s，这个速度甚至还不如一些hdd机械盘快。

三星也注意到这个问题了，未来也会重点关注qlc闪存的性能，目前他们使用的qlc闪存主要还是96层堆栈的v5 qlc，明年会跳过v6 qlc，直接进入176层的v6 qlc闪存时代。

根据三星所说，新一代qlc闪存性能好得多，写入速度2.7倍、读取速度也有2.6倍，不过这是针对v4 qlc闪存的，相比现在的v5 qlc大概能提升一倍，意味着写入性能可提升到320mb/s。

不考虑缓存加速，320mb/s的原始写入性能已经相当可观了，足以让ssd性能重新超过hdd硬盘，并且跟tlc闪存一较高下，相关产品预计在明年上市。

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