台积电官宣6nm工艺！7nm加强版 也有极紫外光刻

这几年，曾经执行业牛耳的intel在新工艺方面进展迟缓，10nm工艺迟迟无法规模量产，一个很关键的原因就是对技术指标要求高，投产难度大。

而在另一方面，台积电、三星却是一路高歌猛进，除了技术方面的突破，还采取了更灵活的战术，降低新工艺技术难度，并且每次稍加改进就拿出一个新版本，让人目不暇接。

比如台积电的16nm是个重要节点，12nm则是在其基础上升级优化而来。三星就更乱了，除了14nm、10nm、7nm、5nm这些升级力度比较大的，还有11nm、8nm、6nm、4nm等一系列过渡版本。

近日，台积电宣布5nm euv工艺已经开始试产，相比7nm可将核心面积缩小45％，性能则可提升15％，同时三星5nm euv工艺已经设计完毕，相比7nm可将功耗降低20％，性能提高10％。

现在，台积电又正式宣布了6nm(n6)工艺，在已有7nm(n7)工艺的基础上大幅度增强，号称可提供极具竞争力的高性价比，而且能加速产品研发、量产、上市速度。

台积电7nm工艺有两个版本，第一代采用传统duv光刻技术，第二代则是首次加入euv极紫外光刻，已进入试产阶段，预计下一代苹果a、华为麒麟都会用。

新的6nm工艺也有euv极紫外光刻技术，号称相比第一代7nm工艺可以将晶体管密度提升18％，同时设计规则完全兼容第一代7nm，便于升级迁移，降低成本。

台积电6nm预计2020年第一季度试产，适合中高端移动芯片、消费应用、ai、网络、5g、高性能计算等。

intel：14nm我改进了一次又一次，也只是叫14nm+、14m++，台积电、三星你们太过分了……