台积电5nm打造1700平方毫米巨型中介层:集成96GB HBM2E内存
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2023-10-31 17:49:28
晶体管越来越小,但是高性能计算需求越来越高,有些人就反其道而行之,尝试制造超大芯片。
之前我们就见识过cerebras systems打造的世界最大芯片wse,拥有4...
晶体管越来越小,但是高性能计算需求越来越高,有些人就反其道而行之,尝试制造超大芯片。
之前我们就见识过cerebras systems打造的世界最大芯片wse,拥有46225平方毫米面积、1.2万亿个晶体管、40万个ai核心、18gb sram缓存……并得到了美国能源部的青睐和部署。
现在,台积电、博通联合宣布,双方将利用晶圆上芯片封装(cowos)技术,打造面积达1700平方毫米的中介层(interposer),是芯片蚀刻所用光掩模(光罩)尺寸极限858平方毫米的整整两倍。
这样规模的中介层显然是无法一次性单个制造出来的,台积电实际上是同时在晶圆上蚀刻多个中介层,然后将它们连接在一起,组成一个整体。
工艺上,台积电也用上了最先进的5nm euv(n5),它将在今年上半年投入量产。
所谓中介层,用途就是串联不同裸片(die)的桥梁,因为随着现代芯片日益复杂,制造单个大型soc的代价越来越大,所以行业普遍开发出了各种新的封装技术,将不同的小芯片、模块整合在一起,构成一颗大芯片。
博通就计划用这个庞大无比的中介层,封装多个soc芯片,以及六颗hmb2内存,单颗容量16gb,总容量达96gb/s,带宽也高达2.7tb/s。
看这规格,应该是三星最新的hbm2e。
台积电和高通未透露这种庞大芯片的具体规格,只是说将用于高性能计算领域。
另外,台积电还在改进cowos封装技术,所以未来不排除面积超过1700平方毫米的更大芯片。
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