台积电5nm打造1700平方毫米巨型中介层：集成96GB HBM2E内存

晶体管越来越小，但是高性能计算需求越来越高，有些人就反其道而行之，尝试制造超大芯片。

之前我们就见识过cerebras systems打造的世界最大芯片wse，拥有46225平方毫米面积、1.2万亿个晶体管、40万个ai核心、18gb sram缓存……并得到了美国能源部的青睐和部署。

现在，台积电、博通联合宣布，双方将利用晶圆上芯片封装(cowos)技术，打造面积达1700平方毫米的中介层(interposer)，是芯片蚀刻所用光掩模(光罩)尺寸极限858平方毫米的整整两倍。

这样规模的中介层显然是无法一次性单个制造出来的，台积电实际上是同时在晶圆上蚀刻多个中介层，然后将它们连接在一起，组成一个整体。

工艺上，台积电也用上了最先进的5nm euv(n5)，它将在今年上半年投入量产。

所谓中介层，用途就是串联不同裸片(die)的桥梁，因为随着现代芯片日益复杂，制造单个大型soc的代价越来越大，所以行业普遍开发出了各种新的封装技术，将不同的小芯片、模块整合在一起，构成一颗大芯片。

博通就计划用这个庞大无比的中介层，封装多个soc芯片，以及六颗hmb2内存，单颗容量16gb，总容量达96gb/s，带宽也高达2.7tb/s。

看这规格，应该是三星最新的hbm2e。

台积电和高通未透露这种庞大芯片的具体规格，只是说将用于高性能计算领域。

另外，台积电还在改进cowos封装技术，所以未来不排除面积超过1700平方毫米的更大芯片。