IBM z15集成1315MB海量缓存:14nm工艺媲美台积电5nm
近日,ibm披露了其新一代主机ibm z15的诸多技术细节,再次彰显了蓝色巨人的雄厚实力,尤其是缓存容量和密度惊人。
ibm z15集成了122亿个晶体管,比上代z14增加了25亿个,每颗芯片12个物理核心,总面积696平方毫米,与上代完相同。
缓存分为四个级别,其中一二级集成于核心内部,三四级位于核心外,容量则都大大提升:每个核心一级指令缓存128kb、一级数据缓存128kb,总容量3mb;每个核心二级指令缓存4mb、二级数据缓存4mb,总容量96mb,比上代翻番。
三级缓存从128mb翻番至256mb,四级缓存则从672mb来到了960mb,几乎增加了一半。
这样算下来,每一颗处理器的四个级别缓存总容量就达到了惊人的1315mb。
频率方面,一二级缓存与cpu核心一样都运行在5.2ghz,三四级缓存则是半速2.6ghz。
更惊人的是,ibm z15的制造工艺依然是ibm、globalfoundries联合研发的14nm finfet soi。缓存增加如此之多,总面积却保持不变,当真是宝刀不老。
另外,z15的二三四级缓存都是高密度的edram存储单元,每单元面积为0.0174平方微米,甚至比台积电5nm工艺下的sram密度还要高,后者每单元面积为0.021平方微米。
当然这样比较并不完全精确,因为sram每单元一般是六个晶体管,edram则是一个,但也足以看出14nm工艺的炉火纯青。
wikichip分析师david schor也表示,ibm/gf 14nm被证明是极为出色的。
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