Intel宣布先进CPU工艺路线图：EUV光刻今年量产 8年集成1万亿晶体管

在从今天凌晨的投资者会议上，intel公布大量新处理器、新工艺的进展，力度非常猛，2025年之前就要量产5代先进工艺，推出4代酷睿处理器，。

在这其中，cpu工艺是重中之重，也是intel未来酷睿、至强、arc显卡以及封装技术的基石，这次会议上intel进一步明确了各代工艺的量产时间及性能情况，我们来看一下。

在过去的2021年，intel最重要的一步当然是量产了intel 7（之前的10nm sf工艺）工艺，以此为基础推出了12代酷睿alder lake，今年的13代酷睿raptor lake也会继续使用intel 7工艺，提高产能、优化性能是重点，13代酷睿这次又增加了8个效能核，总计24核32线程。

现在是2022年了，intel即将进入下一个节点——intel 4，也就是之前的7nm，这一代工艺会首次使用euv光刻机，intel表示该工艺将在2022年下半年投产，其晶体管的每瓦性能将提高约20%。

首发intel 4工艺的是14代酷睿metor lake，不过它要到2023年才能上市，而且除了intel自己生产的cpu模块之外，还会使用台积电的n3工艺，应该是用于gpu模块等，如果没记错的话，这是intel首次在官方路线图上确认使用其他厂商的工艺。

intel 4工艺之后是intel 3工艺，也是基于euv光刻的，官方称intel 3将具备更多功能，并在每瓦性能上实现约18%的提升，预计在2023年下半年投产。

不过从intel的路线图来看，酷睿处理器不会使用intel 3工艺了，因为15代酷睿arrow lake会直接使用20a工艺，后者是首款埃米级cpu工艺，支持ribbonfet和powervia这两项技术，每瓦性能上实现约15%的提升，2024年上半年投产，首发的可能是16代酷睿lunar lake。

2024年对intel来说非常关键，因为下半年就会量产18a工艺了，是20a工艺的改进版，每瓦性能上将实现约10%的提升。

从intel的路线图来看，他们在未来几年中非常激进，2025年之前要量产5代工艺，甚至在2024年推出两代先进工艺，跟之前四五年都没升级14nm、10nm工艺完全不同，野心非常大。

至于intel的目标，那就是在2030年通过先进工艺ribbonfet、高na euv光刻机、foveros 3d封装等各种技术，实现在单个设备中继承超过1万亿个晶体管，要知道目前最*的芯片（包括密度更高的gpu在内）也不过是百亿级晶体管，intel要在8年内实现5-10倍的密度提升，再续摩尔定律辉煌。

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