长鑫LPDDR5内存定了：2-3年内攻坚成功、17nm以下工艺

合肥长鑫公司去年9月份宣布量产国内ddr4内存芯片，总投资1500亿的国内内存项目终于开花结果了。今年以来有多款基于长鑫ddr4的国产内存上市，现在下一步目标也定了，预计2-3年内搞定lpddr5，工艺升级到17nm以下。

合肥长鑫所在地的安徽省日前发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件，该方案要求通过2-3年时间，重点突破一批制约产业发展的关键技术，培育一批优势产品，做强一批优势企业，不断提高制造业自主可控水平，促进制造业高质量发展。

在内存方面，文件要求推进低功耗高速率lpddr5 dram产品开发，要面向中高端移动、平板及消费类产品dram存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率lpddr5 产品并实现产业化，依托dram  17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、bank group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（on-die ecc）技术，完成低功耗高速率lpddr5 dram产品开发。

安徽的这个文件可以说是该省内信息技术产业发展的一个大纲，希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈，，他们去年量产的内存还是第一代10nm级工艺10g1，相当于19nm工艺的ddr4技术，包括桌面级ddr4、lpddr4等等。

长鑫已经在规划后续的内存新品及工艺了，预计还会有10g3、10g5工艺，目前具体水平不确定，大概率会是1x、1y、1znm工艺的演进，相当于16-19、14-16、12-14nm的水平，具体看长鑫的能力。

至于国产lpddr5的问世时间，官方2-3年肯定是留出足够空间的，实际完成的时间应该会比这个短，类似长江存储的国产闪存那样，只要解决了第一代，后面的迭代升级会加快速度。