内存闪存明年价格反弹 新一代存储芯片2020上市

由于价格不断下滑，nand闪存及dram内存已经不再高不可攀，16gb内存现在也只要600多块，不如一年前单条8gb内存的价格，而ssd硬盘跌的就更厉害了，1tb容量的也只要700多块了，m.2版也没贵出多少。

内存闪存价格齐跌，但是这两种存储芯片也同样面临着制程微缩的难题，提升性能、降低成本之路也会越来越艰难，为此intel、三星、美光等厂商也在寻求开发新一代存储芯片解决方案，比如3d xpoint、mram磁阻随机存取存储器、pram相变内存及rram可变电阻内存等。

上述新一代存储芯片优势很多，它们既是非易失性的，不像dram内存那样断电就不能保存数据，而且性能也要比nand闪存快得多，简单来说就是模糊了ram、rom的界限，试想一下电脑重启之后原来打开的网页、播放的视频还在是多么神奇的一件事，新一代存储芯片就有这样的效果。

不过这些芯片理论上性能动辄是内存、闪存的10倍、100倍甚至1000倍，但是目前的问题在于不论mram还是pram，它们现在的容量都很小，而且制造工艺也非标准化的，所以取代内存闪存的过程是漫长的。

目前做的比较的好也就是intel的optane傲腾内存，傲腾dc可持续内存(optane dc persistent memory)单条容量目前提供128gb、256gb、512gb，插槽兼容ddr4，最大功耗18w，频率最高等同于ddr4-2666，读取带宽最高6.8gb/s，写入带宽最高2.3gb/s。

集邦咨询半导体研究中心（dramexchange）日前发表报告，称新一代存储器与现有解决方案各有优劣，最关键的机会点仍是在于价格。

由于新一代存储器尚未规模化与标准化，因此成本较高，所以厂商目前几乎都锁定在数据中心等特殊应用，尤其是超大规模数据中心拥有相对高程度的定制化设计，可以针对不同存储器规划新的配置。

此外，dramexchange认为目前内存、闪存价格下滑，并不是新一代存储芯片进入市场的机会，他们预计明年内存、闪存价格就会止跌反弹，这个时候也是新一代存储芯片进入市场的好机会。