电平转换模块3.3V转5V-双向
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2022-03-07 18:21:49
简介由于最近做的项目里面设计到不同电压等级(逻辑电平)的交互和通信,于是要整一个电平转换模块。需求:多路5V转3.3V(单路复用也可)正文市场分析市场当然选某宝,搜索电平转换加上电压,就出现了一大堆结果,有用一个MOS管搞定一路的,也有用集成IC搞定多路的,还有的就是两个MOS管搞定一路。。。。从FDV301的手册上可以看出其典型应用,而且Vgs(th)<1.06V网络分析这里简单BIng搜索即可出现不少案例,有单片机通信的、有低压差电源的,当然都是参考参考有用两个三极管、NMO...
简介
由于最近做的项目里面设计到不同电压等级(逻辑电平)的交互和通信,于是要整一个电平转换模块。
需求:多路5V转3.3V(单路复用也可)
资料查询
市场分析
市场当然选某宝,搜索电平转换加上电压,就出现了一大堆结果,有用一个MOS管搞定一路的,也有用集成IC搞定多路的,还有的就是两个MOS管搞定一路。。。。
从FDV301的手册上可以看出其典型应用,而且Vgs(th)<1.06V
网络分析
这里简单BIng搜索即可出现不少案例,有单片机通信的、有低压差电源的,当然都是参考参考
有用两个三极管、NMOSFET、肖特基、整流二极管、开关稳压器
NMOS分析
这里看到了三种方法
DG
在选择 R1 的阻值时,需要考虑两个参数,即:输入的开关速度和 R1 上的电流消耗。当把输入从 0切换到 1 时,需要计入因 R1 形成的 RC 时间常数而导致的输入上升时间、 5V 输入的输入容抗以及电路板上任何的杂散电容。输入开关速度可通过下式计算:
由于输入容抗和电路板上的杂散电容是固定的,提高输入开关速度的惟一途径是降低 R1 的阻值。而降低 R1 阻值以获取更短的开关时间,却是以增大5V 输入为低电平时的电流消耗为代价的。通常,切换到 0 要比切换到 1 的速度快得多,因为 N 沟道 MOSFET 的导通电阻要远小于 R1。另外,在选择 N 沟道 FET 时,所选 FET 的VGS 应低于3.3V 输出的 VOH。
DS
NMOS管 高低电平分析 导通 截至,这个就不太懂原作的意思了
DS-GND
实践分析
单9013
电路图如图所示,实际测出波形如下图,无论C极电压接多少(3.3,5,12)。。输出电压大致稳定在2V。。。。
参考
- http://www.kiaic.com/article/detail/912.html
- https://blog.csdn.net/y511374875/article/details/83092737
- https://blog.csdn.net/z3y3m3/article/details/86226474?utm_medium=distribute.pc_relevant_t0.none-task-blog-BlogCommendFromMachineLearnPai2-1.add_param_isCf&depth_1-utm_source=distribute.pc_relevant_t0.none-task-blog-BlogCommendFromMachineLearnPai2-1.add_param_isCf
- https://atta.szlcsc.com/upload/public/pdf/source/20170804/C15310_1501836290440866338.pdf
- https://detail.tmall.com/item.htm?spm=a230r.1.14.16.3cef1200TamexX&id=43509819236&ns=1&abbucket=16
- https://detail.tmall.com/item.htm?spm=a230r.1.14.30.3cef1200TamexX&id=41275922276&ns=1&abbucket=16
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