Intel继续“打磨”22nm工艺 生产超强寿命RRAM芯片

随着intel在本月开始出货10nm工艺处理器，intel在先进半导体工艺上将转向14nm为主、10nm加速量产及推进7nm落地。除了这些工艺之外，intel之前还有一些工厂是生产22nm工艺的，它们也不可能完全淘汰或者升级到7nm，所以2017年intel推出了22ffl工艺。

22ffl是intel结合22nm及14nm finfet工艺开发的一种改良版工艺，ffl中的l代表low leakage，漏电流更低，指标位于两种工艺之间，晶体管密度为1880万晶体管/平方毫米，略好于22nm工艺，但它的优势在于功耗低，成本也低，毕竟22nm工艺量产这么多年了。

22ffl工艺不会用来生产先进处理器了，但它会在别的芯片上找到自己的位置，此前intel宣布使用22ffl工艺生产了mram（磁阻ram），现在vlsi 2019大会上，intel又提到了22ffl工艺已经准备好生产rram（可变电阻ram）。

不论是mram还是rram芯片，它们的特性都是超强性能，延迟堪比内存，而且是超长寿命及可靠性，写入次数都是上万次起的，耐高温，寿命长达10多年，但是现在的问题就是这些芯片的容量都很低，通常是256mb、512mb，有些能上到1gb左右，反正相比常规的ram及nand还差很远。