台积电3nm工艺工厂进展顺利 将在三季度开始风险试产

5月26日消息，据国外媒体报道，在5nm制程工艺大规模量产超过1年后，芯片代工商台积电更先进的3nm工艺的量产事宜，也就成了关注的焦点。

外媒最新的报道显示，台积电将采用3nm制程工艺代工芯片的新工厂，建设进展顺利，并未受到影响。

外媒在报道中还提到，台积电的3nm制程工艺，在三季度就将开始风险试产，这符合台积电ceo魏哲家此前在财报分析师电话会议上透露的量产时间。

在最近几个季度的财报分析师电话会议上，魏哲家均透露3nm工艺将在今年下半年风险试产。

在最近几次的财报分析师电话会议上，魏哲家还透露，他们3nm制程工艺的研发，在按计划推进。

同5nm工艺相比，3nm工艺将使晶体管的理论密度提升70%，性能提升15%，能耗降低30%。

按台积电方面的计划，他们的3nm制程工艺，将在2022年大规模量产。

台积电3nm芯片工厂的建设，在2017年就已开始谋划，当时创始人张忠谋还未退休。他在当年10月份的一次采访中透露，保守估计，3nm工厂的建设将花费150亿美元，可能达到200亿美元。

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