第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产：不怕掉电 有望变革SSD

专注于mram(磁阻内存)研究的everspin最近宣布，继去年底首次提供预产样品之后，现在已经开始试产第二代stt-mram(自旋转移矩磁阻内存)。

mram是一种非易失性存储，其前景被广泛看好，intel、ibm、tdk、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究，读写速度可以媲美sram、dram等传统内存，当同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，综合了传统内存、闪存的有点。

stt-mram则进一步通过自旋电流实现数据写入，具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点，但容量密度提升困难。

早在2012年的时候，everspin就发布了第一代stt-mram，40nm工艺制造，封装在一颗ddr3标准模块中，兼容jedec ddr3-800，但容量只有256mb(32mb)，使其主要只能用于嵌入式领域。

最新的第二代stt-mram用上了globalfoundries 28nm制造工艺，封装于ddr4，支持8-bit或者16-bit界面，传输率1333mt/s(667mhz)，容量增大到了1gb(128mb)，翻了两番。

这或许能让mram走进更广泛的应用领域，但要想追上dram内存的存储密度还有很长的路要走，更别说媲美nand闪存了。

因此，在很长一段时间内，都不太可能看到机遇stt-mram的内存或存储产品，但或许能实现混合式ssd，比如讲部分或全部dram缓存更换成mram，性能更强，还不怕掉电变砖。

事实上，ibm、希捷都在这么做了，近两年还都展示了一些原型。

everspin还有一个独特优势，那就是唯一一个能提供独立mram芯片的厂商，而在未来路线图上，他们计划下一步应用globalfoundries 22nm fd-soi工艺，进一步提升stt-mram的性能和容量。