比QLC闪存还渣 PLC闪存即将浮出水面：用户还能接受吗？

nand闪存从slc到mlc再到tlc，可以说一步步降低了成本，提升了容量，这是它们得以普及的关键。现在qlc闪存在这一年中发展迅猛，大有抢tlc风头的意味，而更渣的plc闪存也在路上了。

所谓slc、mlc、tlc、qlc及plc，指的是闪存的类型，它们每个cell单元分别存放1、2、3、4、5位电荷，所以容量越来越大，但是代价就是写入速度越来越低，p/e寿命越来越渣，qlc的p/e次数宣传上有1000次，实际大概是几百次，plc时代弄不好要跌到100次内了。

从消费者角度来说，qlc闪存都很难接受，更别提再渣一等的plc闪存，这寿命和速度看着不让人放心。

但是闪存厂商对plc闪存的研究早就开始了，随着qlc闪存发展的第三、第四代，目前性能、容量、可靠性算是维持住底线了，研发中的plc闪存进入市场只是迟早的事。

从intel之前的表态来看，他们早就规划好plc闪存了，好消息是其3d plc闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构（floating gate），尽管当前3d闪存的主流结构是charge trap电荷捕获型，但intel指出，浮栅型在读取干扰、数据保持期上更优秀。

三星、东芝、美光、sk海力士、西数等公司的plc闪存也是箭在弦上，只是时间早晚的事。

plc闪存一定会被推到市场上，但是最终能不能被接受还不好说，sina存储网络协会董事会成员j metz认为plc闪存在技术上是不可避免的，但他对其市场前景表示怀疑，特别是tlc闪存等成本不断下降的情况下。

根据j metz的看法，阻碍plc闪存的倒不是plc本身缺点，而是厂商如果能在tlc或者qlc闪存上就做到需要的大容量、成本等指标，那就没必要去推plc闪存，毕竟后者在技术、可靠性等方面确实需要更多投入。