中国刚突破128层QLC闪存 三星将首发160层闪存

上周中国的长江存储公司宣布攻克128层3d闪存技术，qlc类型容量做到了1.33tb容量，创造了三个世界第一。国产闪存突飞猛进，三星等公司也没闲着，三星正在开发160堆栈的3d闪存。

对3d闪存来说，堆栈层数越多，容量就越大，存储密度就越高，这是3d闪存的核心竞争力，2020年全球将大规模量产100+层的3d闪存。

不过每家的技术方案不同，东芝、西数的bics 5代3d闪存是112层的，美光、sk海力士有128层的，intel的是144层，而且是浮栅极技术的，三星去年推出的第六代v-nand闪存做到了136层，今年也是量产的主力。

在136层之后，三星目前正在研发160层及以上的3d闪存，将成为第七代v-nand闪存的基础。

目前160层+的3d闪存还没有详细的技术信息，韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3d闪存。

考虑到三星在nand闪存行业占据了超过1/3的份额，实力是最强的，不出意外160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发，继续保持闪存技术上的优势，拉开与对手的差距。

对了，单从层数上来说，三星的160层+还不是最高的，sk hynix去年宣布正在研发176层堆栈的4d闪存，不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同，不能单看层数高低。