Intel全力押注EUV工艺 争取首发下代高NA光刻机

intel这几年在工艺进度上落后跟10nm、7nm工艺多次跳票有关，而新工艺延期也跟intel此前不考虑euv工艺有关，所以10nm工艺才上了四重曝光，导致良率上不去，迟迟无法量产。

intel之前认为euv工艺不够成熟，现在euv光刻工艺已经量产几年了，intel也开始跟进了，原先的7nm工艺、现在的intel 4工艺会是全面使用euv光刻机的开始，首款产品是meteor lake流星湖，2023年发布。

之后的intel 3工艺、intel 20a工艺上也会持续利用euv工艺，进一步提升性能及能效。

再往后intel还会积极跟进euv技术发展，2025年之后的工艺已经规划到了intel 18a，将使用第二代ribbonfet晶体管，euv光刻机也会有一次重大升级。

intel表示致力于定义、构建和部署下一代high-na euv，有望率先获得业界第一台high-na euv光刻机。

intel目前正与asml密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代euv。

这就意味着intel很有可能首发下一代euv光刻机，na数值孔径从目前的0.33提升到0.5，这是asml的nxe：5000系列，之前预计是在2023年问世，现在推迟到了2025-2026年，单台售价预计将超过3亿美元，差不多人民币20亿一台。

intel为了超越台积电、三星重返半导体技术一哥，现在可以说是拼了老命了，对玩家来说这倒是好事，以往的带头大哥回来了。

- the end -

转载请注明出处：快科技