bios里面设置内存中英文对照

above 1mb memory test：设置开机自检时是否检测1m以上内存。该选项已经在新的bios中被淘汰。由于内存价格暴跌，电脑用户安装内存容量陡然增加，开机时的大容量内存自检时间太长，今后，即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。

auto configuration：设置为允许时，bios按照最佳状态设置。bios可以自动设置内存定时，因此会禁止一些对内存设置的修改，建议选择允许方式。

memory test tick sound：是否发出内存自检的滴嗒声。如果您闲它烦，可以关闭它们。

memory parity error check：设置是否要设置内存奇偶校验。多在30线内存条使用时代，已经被淘汰。但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。

cache memory controller：是否使用高速缓存。不在流行的award bios中使用。

shadow ram option：设置系统bios或显示卡bios是否映射到常规内存中。可以加快速度，但也可能造成死机。

internal cache memory：是否使用cpu内部缓存(一级缓存)。可以提高系统性能。

external cache memory：是否使用cpu外部缓存(主板上的二级缓存)。可以提高系统性能。amd新的具有两级缓存的cpu的出现，使主板上的二级缓存退居成三级缓存。

concurrent refresh：直译是同时发生的刷新。设置cpu在对其它i/o操作时对内存同时刷新，可以提高系统性能。

dram read wait state：设置cpu从内存读数据时的等待时钟周期。在内存比cpu慢时可以设置更多的等待。

dram write wait state：设置cpu向内存写数据时的等待时钟周期。在内存比cpu慢时可以设置更多的等待。

slow refresh：对质量好的内存，保持数据的时间比较长，可以设置更长的时间周期，从而提高系统性能。

shadow cachecable：把映射到常规内存的bios rom增加高速缓存，使性能更进一步。

page mode：使内存工作于page mode或page interleaved模式。

ras timeout counter：使page mode或page interleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存ras周期，因此采用计数器来监视ras周期，一旦超过ras周期，则将周期 自动复位为0。

memory relocation：内存重新定位。即将384的上位内存(upper memory block)数据转储到1mb以上的扩展内存中。

memory hole：有人称作内存孔洞。把内存地址15mb-16mb的区域留给一些特殊的isa扩展卡使用，可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止，除非isa扩展卡有专门的说明。

drma timing setting：快页内存或edo内存速度设置，通常是60ns或70ns选择，对10ns或更快的sdram内存无效。

fast ma to ras delay：设置内存地址(memory address)到内存行地址触发信号(ras)之间的延迟时间。

dram write brust timing：cpu把数据写如高速缓存后，再写如内存的延迟时间。

fast ras to cas delay：行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。通常是ras#下降到cas#下降之间的时间。

dram lead-off timing：cpu读/写内存前的时间。

dram speculative read：设置成允许时，读内存的时间比正常时间提前一个时间周期，可以提高系统性能。

dram data integrity mode：选择内存校验方式是parity或ecc。

refresh ras assertion：设置内存的行地址刷新时间周期，对质量好的内存可以延迟刷新，从而提高系统性能。

ras recharge period：内存行地址信号预先充电所需要的时间。

fast edo path select：设置选择对edo内存读/写的快速途径，可以提高系统性能。

sdram ras latency：设置sdram内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟。

sdram ras timing：设置系统对sdram内存的行地址触发时间，也即刷新时间。

peer concurrency：为提高系统并行，使cpu对高速缓存或内存或pci设备，或pci的主控信号对pci外围设备等等操作同时进行。系统智能越高，同cpu并行的操作越多，性能提高越多。