欢迎您访问程序员文章站本站旨在为大家提供分享程序员计算机编程知识!
您现在的位置是: 首页  >  科技

富士通发布8Mb FRAM内存:读写寿命100万亿次

程序员文章站 2022-03-05 11:12:35
富士通(确切地说是富士通半导体内存解决方案有限公司)今天宣布,推出全新的8mb fram内存,容量翻番,并支持并行接口,读写寿命第一次做到了100万亿次!fram就是铁电存储器,一种随机存取存储器,拥...

富士通(确切地说是富士通半导体内存解决方案有限公司)今天宣布,推出全新的8mb fram内存,容量翻番,并支持并行接口,读写寿命第一次做到了100万亿次!

fram就是铁电存储器,一种随机存取存储器,拥有sram、dram级别的读取速度和寿命,而且是非易失性的,断电不丢失数据。

富士通发布8Mb FRAM内存:读写寿命100万亿次

它的缺点是容量密度做不大,因此不可能彻底取代dram、sram,但在一些对容量没有过高要求、对寿命/速度敏感的场景和设备上非常合适,尤其是高速工业场景。

其实,铁电存储技术不是新鲜玩意儿,1921年就有了这一概念。虽然直到1993年才由美国ramtron公司开发出第一个4kb fram产品,但近些年来已经得到了广泛应用。

富士通发布8Mb FRAM内存:读写寿命100万亿次

富士通最新的mb85r8m2ta fram具备兼容sram的并行接口,供电电压范围1.8-3.6v,拥有超长读写寿命的同时,比以往产品访问速度快了约30%,快页模式下访问速度仅25ns,持续传输率媲美sram。

同时功耗也更低,最大写入电流只需18ma(毫安),最大待机电流更是150ua(微安),分别降低了10%、50%,

它采用了44针的tsop封装,和上代4mb fram一样保持兼容,还新增了48针的fbga封装。

富士通8mb fram内存现已提供评估样品,量产时间未公布。

富士通发布8Mb FRAM内存:读写寿命100万亿次

富士通发布8Mb FRAM内存:读写寿命100万亿次

- the end -

转载请注明出处:快科技

相关标签: #富士通 #内存