首发GAA晶体管技术 三星3nm工艺成功流片
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2022-04-18 08:33:46
全球目前量产的 最先进工艺是5nm,台积电明年就要量产3nm工艺,不过3nm节点他们依然选择finfet晶体管技术,三星则选择了gaa技术,日前三星也成功流片了3nm gaa芯片,迈出了关键一步。在3...
全球目前量产的 最先进工艺是5nm,台积电明年就要量产3nm工艺,不过3nm节点他们依然选择finfet晶体管技术,三星则选择了gaa技术,日前三星也成功流片了3nm gaa芯片,迈出了关键一步。
在3nm节点,三星比较激进,直接选择了下一代工艺技术——gaa环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了mbcfet(multi-bridge-channel fet,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代finfet晶体管技术。
根据三星的说法,与5nm制造工艺相比,3nm gaa技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。
三星早在2019年就公布了3nm gaa工艺的pdk物理设计套件标准,这次3nm芯片流片是跟synopsys合作完成的,双方联合验证了该工艺的设计、生产流程,是3nm gaa工艺的里程碑。
不过三星、synopsys并没有透露这次验证的3nm gaa芯片的详情,官方只说gaa架构改进了静电特性,提高了性能,降低了功耗。
3nm gaa工艺流片意味着该工艺量产又近了一步,不过最终的进度依然不好说,三星最早说在2021年就能量产,后来推迟到2022年,但是从现在的情况来看,明年台积电3nm工艺量产时,三星的3nm恐怕还没准备好,依然要晚一些。
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