制造1nm芯片的EUV光刻机：ASML已完成设计

本月中旬，在日本东京举办了itf论坛。

论坛上，与asml（阿斯麦）合作研发光刻机的比利时半导体研究机构imec公布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节。

至少就目前而言，asml对于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至sub 1nm都做了清晰的路线规划，且1nm时代的光刻机体积将增大不少。

据称在当前台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了na=0.33的euv曝光设备，2nm之后需要更高分辨率的曝光设备，也就是na=0.55。好在asml已经完成了0.55na曝光设备的基本设计（即nxe：5000系列），预计在2022年实现商业化。

至于上文提到的尺寸为何大幅增加就是光学器件增大所致，洁净室指标也达到天花板。

阿斯麦目前在售的两款极紫外光刻机分别是twinscan nxe:3400b和twinscan nxe:3400c，3600d计划明年年中出货，生产效率将提升18%。

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责任编辑：万南