现代内存颗粒怎么样？好不好？

q：我买了一条金士顿的内存条，ddr3 4gb的内存，内存上面的颗粒怎么是现代的内存颗粒？和我机器上的另外一条金士顿不一样，另外的一条金士顿内存是尔必达的颗粒。

a：  基本上没有什么问题的，现代内存多见于品牌机里面，金士顿使用的不同的颗粒生产内存这个没什么关系，不同批次采购不同的颗粒而已，整体的设计规格是一样的。现代内存颗粒和尔必达（尔必达最近已经申请了破产保护，内存商采购颗粒肯定不止一家的哦，只要保证正品即可）内存颗粒都是非常好的内存颗粒，金士顿的内存条假货多，只要根据一些常规的防伪手段检验没问题就基本差不多了。

    现代内存颗粒的编号也是由四段字母或数字组成，具体分布请看下图。a、b四部分的含义与三星内存颗粒编号的含义相同，分别表示该内存颗粒的生产企业及生产日期。c、d部分所包含的内容主要是指内存的相关规格。接下来我们就详细分解。 
 

 

a部分不用多说，铁定都是hynix的logo。
b部分是生产日期，由三个数字和一个字母组成，和三星内存颗粒的编号一样，第一个数字表示生产年份，后两位数字表示在该年的第xx周生产。最后的字母，由于在官方文件中没有解释，笔者也未弄明白。
c部分也是表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。根据频率、延迟参数不同，分别用“d5、d43、d4、j、m、k、h、l”8个字母/数字组合来表示。

其中：
“d5”代表ddr500（250mhz），延迟为3-4-4；
“d43”代表ddr433（216mhz），延迟为3-3-3；
“d4”代表ddr400（200mhz），延迟为3-4-4；
“j”代表ddr333（166mhz），延迟为2.5-3-3；
“m”代表ddr266（133mhz），延迟为2-2-2；
“k”代表ddr266a（133mhz），延迟为2-3-3；
“h”代表ddr266b（133mhz），延迟为2.5-3-3；
“l”代表ddr200（100mhz），延迟为2-2-2。

补充：紧接这c部分的数字后面，实际上还有一个编号，只是这个编号一般并没有被标示出来。他用来表示内存颗粒的工作温度和应用等级。用“bank、i、e”来表示不同的工作温度和应用等级，其中：

“blank”代表商业型，工作温度在0 °c~70 °c之间；
“e”代表增强型，工作温度在-25°c~85 °c之间；
“i”代表工业型，工作温度在-40°c~85 °c之间。

总结:
1． hy代表着该颗粒是现代制造的产品。 
2． 内存芯片类型：（5d=ddr sdram） 
3． 处理工艺及供电：（v：vdd=3.3v & vddq=2.5v；u：vdd=2.5v & vddq=2.5v；w：vdd=2.5v & vddq=1.8v；s：vdd=1.8v & vddq=1.8v） 
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64m 4k刷新；66：64m 2k刷新；28：128m 4k刷新；56：256m 8k刷新；57：256m 4k刷新；12：512m 8k刷新；1g：1g 8k刷新） 
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 
7． 接口类型：（1=sstl_3；2=sstl_2；3=sstl_18） 
8． 内核代号：（空白=第1代；a=第2代；b=第3代；c=第4代） 
9． 能源消耗：（空白=普通；l=低功耗型） 
10． 封装类型：（t=tsop；q=lofp；f＝fbga；fc＝fbga（utc:8x13mm）） 
11． 封装堆栈：（空白=普通；s=hynix；k=m&t；j＝其它；m=mcp（hynix）；mu＝mcp（utc）） 
12． 封装原料：（空白=普通；p=铅；h＝卤素；r=铅+卤素） 
13． 速度：（d43＝ddr400 3-3-3；d4=ddr400 3-4-4；j＝ddr333；m＝ddr333 2-2-2；k＝ddr266a；h＝ddr266b；l＝ddr200） 
14． 工作温度：（i=工业常温（-40 - 85度）；e=扩展温度（-25 - 85度））