PLC闪存远非终点 铠侠已投入HLC和OLC颗粒研究
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2022-04-04 13:20:33
说起来,ssd和机械硬盘,提升容量的方式有些相似,前者主要靠提高每单元存储的电位数量和增加堆叠层数,而后者则是靠增大盘片容量和盘片数。闪存颗粒的演进我们已经看在眼里,mlc ssd已经基本在消费市场绝...
说起来,ssd和机械硬盘,提升容量的方式有些相似,前者主要靠提高每单元存储的电位数量和增加堆叠层数,而后者则是靠增大盘片容量和盘片数。
闪存颗粒的演进我们已经看在眼里,mlc ssd已经基本在消费市场绝迹,目前主要是tlc尤其是qlc打天下。
所谓qlc就是每单元存储4个电位,而取代它的将是存储5电位的plc(penta level cell)。
实际上,铠侠(原东芝存储)早在2019年就投入了plc闪存技术的研究。铠侠最近披露表示,plc之后,还有存储6电位的hlc(hexa level cell)和存储8电位的olc(octa level cell)。
因为要存储多个电位,就需要不同的电压状态,qlc是2的4次方,也就是16个电压状态,plc是32个,相应地,hlc需要多达64种电压状态,这对主控将是极大的考验,毕竟64种电信号不能相互干扰。
尽管难度高,但hlc的存储密度毕竟比qlc高出50%,对厂商的诱惑还是很大。
目前,铠侠已经在-196°c的液氮环境中,实现了hlc闪存1000次pe(可编程擦写循环)。预计量产后,恐怕会降到100次pe。
当然,大家不用太担忧,因为hlc时代,存储容量将非常夸张,堆叠层数也会在600~1000次甚至更多,这意味要写满一次ssd,需要的时间并不会比现在的tlc、qlc明显差很多。
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