三星率先为DRAM芯片导入EUV：明年将用于DDR5/LPDDR5大规模量产

当前在芯片制造中最先进的euv（极紫外光刻）工艺被三星率先用到了dram内存颗粒的生产中。

这家韩国巨头今日宣布，已经出货100万第一代10nm euv级（d1x）ddr4 dram模组，并完成全球客户评估，这为今后高端pc、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。

得益于euv技术，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并进一步提升产能。

三星表示，将从第四代10nm级（d1a）dram或高端级14nm级dram开始全面导入euv，明年基于d1a大规模量产ddr5和lpddr5内存芯片，预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。

不过，目前支持ddr5的pc平台尚未亮相，lpddr5倒是已经逐渐铺开。三星量产的第一代euv ddr5 dram单芯片容量为16gb（2gb），地点是平泽市的v2线。

根据三星此前的预判，euv将帮助公司至少推进到3nm尺度。