韩媒称三星已启动EUV 1ynm工艺的DRAM内存芯片研发

作为dram芯片的龙头企业，三星目前已经能量产10nm级、最大容量16gb的lpddr4内存、gddr5显存和ddr4内存等。

据digitimes引述news1 korea报道，三星悄悄启动了引入euv（极紫外光）光刻工艺的dram内存芯片研发，基于1ynm。

报道称，三星最快在2020年开始大量投产使用euv 1ynm制造的dram芯片。

euv光刻目前被三星、台积电、intel等用于7nm工艺节点上，制造的普遍是ap（应用处理器）。三星曾表示，7nm lpp工艺将在今年下半年量产，明年上半年推出首款可商用的逻辑芯片。

结合手头掌握的资料，高通已经确认其5g基带芯片将由三星的7nm代工。