ASML研发下一代EUV光刻机：分辨率提升70% 逼近1nm极限

在euv光刻机方面，荷兰asml（阿斯麦）公司垄断了目前的euv光刻机，去年出货26台，创造了新纪录。据报道，asml公司正在研发新一代euv光刻机，预计在2022年开始出货。

根据asml之前的报告，去年他们出货了26台euv光刻机，预计2020年交付35台euv光刻机，2021年则会达到45台到50台的交付量，是2019年的两倍左右。

目前asml出货的光刻机主要是nxe:3400b及改进型的nxe:3400c，两者基本结构相同，但nxe:3400c采用模块化设计，维护更加便捷，平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时，支持7nm、5nm。

此外，nxe:3400c的产能也从之前的125wph（每小时处理晶圆数）提升到了175wph。

不论nxe:3400b还是nxe:3400c，目前的euv光刻机还是第一代，主要特点是物镜系统的na（数值孔径）为0.33。

asml最近纰漏他们还在研发新一代euv光刻机exe:5000系列，na指标达到了0.55，主要合作伙伴是卡尔蔡司、imec比利时微电子中心。

与之前的光刻机相比，新一代光刻机意味着分辨率提升了70%左右，可以进一步提升光刻机的精度，毕竟asml之前的目标是瞄准了2nm甚至极限的1nm工艺的。

不过新一代euv光刻机还有点早，至少到2022年才能出货，大规模出货要到2024年甚至2025年，届时台积电、三星等公司确实要考虑3nm以下的制程工艺了。