SK海力士全球首个量产128层堆叠4D闪存：冲击176层

sk海力士宣布，已经全球第一家研发成功并批量生产128层堆叠的4d nand闪存芯片，此时距离去年量产96层4d闪存只过去了八个月。

sk海力士由此实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元，每一个可存储3个比特位，为此sk海力士应用了一系列创新技术，比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术，等等。

同时，新的128层4d闪存单颗容量1tb(128gb)，是业内存储密度最高的tlc闪存，每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40％。

虽然包括sk海力士在内多家厂商都研发出了1tb qlc闪存，但这是tlc闪存第一次达到单颗1tb。tlc目前占闪存市场规模的超过85％，可靠性和寿命都优于qlc，当然被其取代也是早晚的事儿。

其他规格方面，新闪存可以在1.2v电压下实现1400mbps的数据传输率，可用于高性能、低功耗的手机存储、企业级ssd。

sk海力士的4d nand闪存技术是去年10月份官宣的，所谓4d是指单芯片四层架构设计，结合了3d ctf(电荷捕获闪存)设计、puc(peri. under cell)技术，后者是指制造闪存时先形成外围区域再堆叠晶胞，有助于缩小芯片面积。

利用这种架构设计，sk海力士在从96层堆叠到128层堆叠时，虽然层数增加了三分之一，但是制造工艺步骤减少了5％，整体投资也比之前减少了60％。

sk海力士将在今年下半年批量出货128层1tb 4d闪存，并开始一系列相关产品研发：

明年上半年开发下一代ufs 3.1存储，将1tb大容量手机所需的闪存芯片数量减半，同时封装厚度控制在1毫米左右，功耗降低20％。

明年上半年量产2tb消费级ssd，自研主控和软件。

明年发布16tb、32tb nvme企业级ssd。

sk海力士还透露，正在研发176层堆叠的下一代4d nand闪存。