美光流片第四代3D闪存：全新替换栅极架构

美光宣布，已经完成第四代3d nand闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(rg)架构，并计划在明年投入量产。

美光第四代3d闪存堆叠了最多128层，继续使用阵列下cmos设计思路，不过美光与intel使用多年的浮动栅极(floating gate)换成了替换栅极(replacement gate)，以缩小尺寸、降低成本、提升性能，升级到下一代制造工艺也更容易。

这种新架构是美光独自研发的，并没有intel的帮助，双方已经越走越远。

不过，完成流片只是美光新闪存的一步尝试，美光还没有计划将任何一条产品线转向rg架构，暂时也不会带来真正的成本降低。

目前，美光的首要任务是扩大96层3d闪存的产能，明年将其应用到各条产品线。