投资380亿元！Intel大连工厂二期投产96层3D闪存

据媒体报道，9月21日，intel大连非易失性存储二期项目投产启动仪式在大连举行。

2006年7月，intel与大连市*达成总发展协议，随后建设了占地面积60公顷的300毫米晶圆厂fab 68，2010年建成，主要用于处理器的封装测试。

2015年10月，fab 68二期项目落地，投资55亿美元(约合人民币380亿元)，主要用来生产nand闪存芯片，如今不到三年就顺利实现建成投产，创造了intel工厂建设历史的新纪录。

在启动仪式上，intel宣布新工厂将采用世界最先进的96层堆叠3d nand闪存芯片制造技术实现量产。

据悉，fab 68工厂未来将成为intel nand闪存的最核心生产基地，会贡献大约70％的产能。

目前的全球nand闪存市场上，三星以37％的份额遥遥领先，然后是东芝、西数、美光、sk海力士，intel则还不到10％，其固态存储产品也主要集中在企业级、数据中心市场上，消费级领域基本已不见踪影。

不知道有了大连工厂的支撑，intel ssd能否在消费市场上再次开辟一天新天地呢？