国产存储芯片艰难突围 2025年产能可占全球12%

2019年国产的内存及闪存都取得了重要进展，长江存储量产了64层堆栈3d闪存，合肥长鑫量产了ddr4内存。

此外，紫光也会在2021年进军内存市场，这是国内最重要的三支存储芯片力量。

不过就算开始量产，国产存储芯片的产能爬坡依然是个长期而且艰巨的任务，至少需要数年时间才能对全球市场产生影响。

国金证券指出，合肥长鑫、长江存储等国内大厂量产初期，良率不佳，再受到新型冠状病毒影响设备验收及装机，预期长江存储美国／日本／欧洲的半导体设备移入将延迟数月。

此外，国内公司设计及制程工艺技术与国际大厂仍有几个世代的差距，比如长江存储的 64层 nand vs. 三星／海力士／kioxia/ 镁光的 96/112/128层 nand，合肥长鑫的 1x dram vs. 三星／海力士/ 镁光的 1z dram，而造成其品质，规格种类，数量，成本及其价格均不具市场竞争力。

基于此，国金证券目前预估其全球存储器dram+nand半导体市场份额在 2022年应该不会超过 5%，2025年预计可达12%。

也就是说5年后，国产的内存及闪存才能在全球市场上拿下10%以上的份额，相比现在会有质的提升，但是总体来看国产闪存、内存依然是少数派，对市场的影响恐怕还会远远落在三星、美光、东芝等公司之后。