SK海力士冲击16层堆叠内存：1平方毫米打10万个孔

sk海力士宣布，已经与xperi corp旗下子公司invensas签订新的专利与技术授权协议，获得了后者dbi ultra 2.5d/3d互连技术的授权。

dbi ultra是一种专利的裸片-晶圆(die-wafer)混合键合互连技术，每平方毫米的面积里可以容纳10万个到100万个互连开孔，孔间距最小只有1微米，相比每平方毫米最多625个互连开孔的传统铜柱互连技术，可大大提高传输带宽。

dbiultra使用化学键合来连接不同的互联层，也不需要铜柱和底层填充，因此不会增加高度，从而大大降低整体堆叠高度，释放空间，可将8层堆叠翻番到16层堆叠，获得更大容量。

虽然它要使用新的工艺流程，但是良品率更高，也不需要高温，而高温正是影响良品率的关键因素。

和其他下一代互连技术类似，dbi ultra也灵活支持2.5d、3d整合封装，还能集成不同尺寸、不同工艺制程的ip模块，因此不但可用来制造dram、3ds、hbm等内存芯片，也可用于高集成度的cpu、gpu、asic、fpga、soc。

比如3d堆栈内存方案，可以是4层的dram，可以是4/8/12/16层的hbm2/hbm3并在底部整合逻辑电路。

比如3d集成方案，可以上方是4-16层堆叠hbm、下方是cpu/gpu/fpga/soc等逻辑单元。

比如2.5d集成方案，可以在基板上一边是4-16层堆叠hbm并通过逻辑电路接入基板，另一边则是cpu/gpu/fpga/soc等逻辑单元直接以dbi ultra互连的方式接入基板。

sk海力士还未透露会将dbi ultra封装技术用在哪里，但是dram、hbm显然是最佳选择。