千倍于闪存！格芯完成22FDX技术开发 将批量生产eMRAM芯片

据外媒报道称，globalfoundries（格芯）今天宣布已经完成了22fdx（22 nm fd-soi）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（emram）。

emram这种综合了ram内存、nand闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据，写入速度则数千倍于闪存，可以兼做内存和硬盘，甚至统一两者。同时很关键的是，它对制造工艺要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品价格自然不会太离谱。

事实上，除了globalfoundries外，intel、ibm、tdk、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究emram。

globalfoundries表示，使用其22fdx和emram工艺技术生产的测试芯片，在ecc关闭模式下，在-40°c到125°c的工作温度下，具有10万个周期的耐久性和10年的数据保持能力。

此外，globalfoundries的emram测试产品还可以通过标准可靠性测试，包括ltol（168小时）、htol（500小时）和5x焊料回流，故障率<1ppm，而生产中的的磁抗扰性问题也得到了有效解决。