淘汰内存+闪存！Intel MRAM已可量产：200℃高温能用10年

多年来，半导体行业的标准存储格局一直是dram内存＋hdd机械硬盘/ssd固态硬盘，不过各家巨头也一直在探寻新的、更好的方案，比如intel的傲腾，就致力于消弭内存与硬盘之间的鸿沟。

还有一种方案就是mram(磁阻式随机访问内存)，intel、ibm、三星、海力士、东芝、tdk等大厂和一些创业企业都研究了好多年。现在，intel宣布他们的mram已经准备好大规模量产了！

mram存储技术和nand闪存类似是非易失性的，也就是断电后不会丢失数据，而写入速度可以达到nand闪存的数千倍，建立时间(settling time)可以达到1纳秒，比目前dram内存的理论限制还要好，等于综合了ram内存、nand闪存的优点，可以兼做内存和硬盘。

同时很关键的是，它对制造工艺要求低，而且在传统dram工艺升级越来越难的情况下，mram却可以更轻松地更新，良品率也高得多，意味着成本可以得到更有效地控制。

intel即将量产的mram就采用了很成熟的22nm ffl finfet制造工艺，良品率居然超过了99.998％！对于一种很全新存储技术来说相当不可思议。

至于为何不用更新的14nm，可能是mram目前对新工艺不敏感，也可能是intel 14nm工艺现在产能太紧张了，腾不出手来。 

按照intel给出的技术规格，这种mram的每个存储单元的面积为0.0486平方微米、容量7mb，读取时间0.9v电压下4纳秒、0.8v电压下8纳秒，写入时间-40℃下也有10微秒，写入寿命不低于一百万。

寿命那是相当的长，标准耐受温度范围-40℃到125℃，而intel工程师强调，即便放置在200℃高温下数据完整性也能保持10年之久。

不过，mram具体什么时间投入规模量产，用于何种产品之上，intel尚未给出更详细的说明。