美光内存路线图：10nm级工艺多达六种 单条64GB马上来

不同于cpu处理器等逻辑芯片的制造工艺都精确到具体数值，闪存、内存工艺一直都是很模糊的叫法，比如10nm-class(10nm级别)，只是介于20nm和10nm之间，然后又分为1xnm、1ynm、1znm等不同版本，越来越先进，越来越接近真正的10nm。

随着先进半导体工艺难度的急剧上升，intel这样的巨头都开始吃不消，在工艺上一贯精打细算的闪存内存厂商也走出了一条新路，比如美光。

相比三星、sk海力士，美光虽然也是dram内存巨头之一，但工艺一直不算很先进，10nm级上更是玩出了花活，挤牙膏手法之新颖让intel都会自叹弗如。

美光早已有了成熟的第一代10nm级工艺也就是1xnm，目前正在扩大产能的是第二代1ynm，生产对象有12gb lpddr4x、16gb ddr4颗粒等。

当前美光正在与客户验证第三代1znm，预计很快就会官宣，并在2020财年(今年9月开始)投入量产，据称会主要用来生产16gb lpddr5、ddr5颗粒。

按照dram内存行业以往的惯例，接下来就要超越10nm级工艺了，但想进入个位数时代实在太难，美光计划在1nm级上多呆几年，并准备了至少三种新的10nm级工艺：1αnm、1βnm、1γnm——没错，都用上希腊字母了。

如此一来，美光将会有多达六种10nm级工艺，有调研机构称美光其实还有个升级版的1xsnm，但没有得到官方确认，如果属实将有七种，切不排除未来增加更多版本。

1αnm、1βnm、1γnm当然会一个比一个更先进，一个比一个更逼近10nm，不过具体细节美光暂未披露，只是说会在1βnm、1γnm阶段会用上沉浸式四重曝光技术，比现在的双重曝光、三重曝光更复杂。

同时，美光还在评估euv极紫外光刻技术，预计届时只需双重曝光，可大大降低工艺复杂度，但具体什么时候、在哪代工艺上使用，美光还没有做出决定。

美光估计，dram内存生产中每一个euv层需要1.5-2套euv光刻机，月产能可达10万片晶圆，cpu等逻辑芯片则需要一个euv层对应一台euv光刻机，月产能也仅有4.5万片晶圆。

目前，台积电、三星已经开始在7nm工艺升级版上部分引入euv，接下来的5nm上会全面部署，dram内存行业显然不会那么快。 

另外，台北电脑展上我们已经见到威刚、英睿达(美光消费级品牌)展示单条32gb ddr4 udimm消费级内存条，使用的都是美光最新的1ynm 16gb ddr4颗粒。

美光透露，还会用这种颗粒制造单条64gb容量的rdimm服务器内存。