西数明年底量产BiCS6闪存:162层堆栈、接口速度翻倍
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2022-03-15 19:11:20
2021年闪存逐渐从96层过渡到了128层为主,再往下就是170层到200层的了,每家闪存厂商的方案都有所不同,西数将在明年底量产bics6代3d闪存,堆栈层数提升到162,而且接口速度翻倍。在闪存市...
2021年闪存逐渐从96层过渡到了128层为主,再往下就是170层到200层的了,每家闪存厂商的方案都有所不同,西数将在明年底量产bics6代3d闪存,堆栈层数提升到162,而且接口速度翻倍。
在闪存市场上,西数跟东芝是合作研发、生产的,bics技术其实主要是来自东芝,目前量产的主力是bics5,2019年2月份发布,堆栈层数112层,核心容量512gbit,接口速度1.066gbps。
bics6闪存是下一代产品,堆栈层数最终确定为162层,而非之前所说的170+层,核心容量也提升到了1tbit,另外就是接口速度也将达到2.0gbps,相比上代翻倍,不过距离三星最新的8代v-nand闪存的2.4gbps还有点距离。
根据西数的计划,bics6闪存将从明年初开始生产,但真正大规模量产要到2022年底了,现在的bics5闪存还要过渡至少一年。
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