12nm工艺 紫光国芯发布GDDR6控制器芯片：速率可达16Gbps
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2022-12-04 10:27:00
不经意间，中国的芯片公司又闯入了一个新领域，日前西安紫光国芯宣布推出12nm工艺的gddr6存储控制器和物理接口ip（gddr6 mc/phy ip）。紫光国芯之前做过ddr内存芯片，还有就是nand...
不经意间，中国的芯片公司又闯入了一个新领域，日前西安紫光国芯宣布推出12nm工艺的gddr6存储控制器和物理接口ip（gddr6 mc/phy ip）。
紫光国芯之前做过ddr内存芯片，还有就是nand闪存，推出显存相关的ip芯片还是第一次，而且水准不低，制程工艺使用的是gf格芯的12nm lp低功耗工艺，做的也是gddr6存储控制器和物理接口ip（gddr6 mc/phy ip），大家可以理解为gddr6显存的主控芯片。
根据紫光国芯介绍，这个gddr6 mc/phy ip包括一个可配置的内存控制器（mc），其完全符合dfi3.1和amba axi4.0标准，并允许设计工程师生成具有优化延迟和带宽的gddr6控制器以满足高性能应用的要求，如显卡，游戏机和ai计算等。
该ip针对功耗和性能进行了优化设计，西安紫光国芯的gddr6物理接口（phy）提供了高达12gbps/13gbps/14gbps/16gbps的数据速率，同时兼容jedec250和dfi3.1标准。
物理接口（phy）部分还嵌入了高性能锁相环以满足严格的时序规范。
与主流gddr6存储颗粒集成，经过流片测试验证，该ip的性能在12gbps/14gbps/16gbps数据率时满足设计规格要求。且当数据率为16gbps时，平均每个dq的最大功耗小于4mw/gbps。
目前，紫光国芯的gddr6 mc/phy ip已经在格芯的12lp工艺平台上架。
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