三星量产第6代V NAND闪存：首创136层堆叠、传输速率业内最快

3d nand可以简单理解为“盖楼”，在占地面积固定的情况下， 楼层越高，容量也就越大。今天（8月6日），三星宣布全球第一个投产超100层的3d nand。

三星称，基于136层堆叠、256gb（32gb）的第六代v nand（3bit，也就是tlc）芯片6月量产，7月份，ssd进入量产，数据传输速率为业内最快。

首款应用超100层堆叠第六代v nand闪存的是250gb的sata 3入门级ssd产品，性能提升10%、功耗降低15%、生产效率提升20%。

三星计划下半年推出基于512gb第六代tlc的ssd和ufs闪存芯片，以满足更多客户需求。

三星v nand迭代路线图