Intel发布史上最详细工艺和封装技术路线图 CEO：再一次领先业界
今天，intel发布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图，展示了一系列底层技术创新。
除了公布其近十多年来首个全新晶体管架构ribbonfet 和业界首个全新的背面电能传输网络powervia之外，intel还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻（euv）技术的计划，即高数值孔径（high-na）euv。
据悉，intel有望率先获得业界第一台high-na euv光刻机。
intel ceo帕特·基辛格表示，基于intel在先进封装领域毋庸置疑的领先性，我们正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到2025年制程性能再度领先业界。
intel正利用我们无可比拟的持续创新的动力，实现从晶体管到系统层面的全面技术进步。在穷尽元素周期表之前，我们将坚持不懈地追寻摩尔定律的脚步，并持续利用硅的神奇力量不断推进创新。
intel技术专家详述了以下路线图，其中包含新的节点命名和实现每个制程节点的创新技术：
基于finfet晶体管优化，intel 7与intel 10nm superfin相比，每瓦性能将提升约10%-15%。2021年即将推出的alder lake客户端产品将会采intel 7工艺，之后是面向数据中心的sapphire rapids预计将于2022年第一季度投产。
intel 4完全采用euv光刻技术，可使用超短波长的光，刻印极微小的图样。凭借每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进，intel 4将在2022年下半年投产，并于2023年出货，这些产品包括面向客户端的meteor lake和面向数据中心的granite rapids。
intel 3凭借finfet的进一步优化和在更多工序中增加对euv使用，较之intel 4将在每瓦性能上实现约18%的提升，在芯片面积上也会有额外改进。intel 3将于2023年下半年开始用于相关产品生产。
intel 20a将凭借ribbonfet和powervia两大突破性技术开启埃米时代。ribbonfet是intel对gate all around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出finfet以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。
powervia是intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。intel 20a预计将在2024年推出。intel也很高兴能在intel 20a制程工艺技术上，与高通公司进行合作。
2025年及更远的未来：从intel 20a更进一步的intel 18a节点也已在研发中，将于2025年初推出，它将对ribbonfet进行改进，在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。
intel还致力于定义、构建和部署下一代high-na euv，有望率先获得业界第一台high-na euv光刻机。intel正与asml密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代euv。
intel高级副总裁兼技术开发总经理ann kelleher博士表示：“intel有着悠久的制程工艺基础性创新的历史，这些创新均驱动了行业的飞跃。我们引领了从90 nm应变硅向45 nm高k金属栅极的过渡，并在22 nm时率先引入finfet。凭借ribbonfet和powervia两大开创性技术，intel 20a将成为制程技术的另一个分水岭。”
intel高级副总裁兼技术开发总经理ann kelleher博士
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