Intel宣布全新CPU工艺路线图：10nm改名为7、7nm改为4

前不久intel宣布即将举行一次重要会议，今天凌晨这个会议正式召开，介绍了intel在芯片工艺及封装上的进展，其中一个重要内容就是全新的cpu工艺路线图，而且intel真的改名了，10nm工艺变成了intel 7，7nm变成了intel 4，未来还有intel 3、intel 20a。

intel是坚定的摩尔定律*，尽管每代工艺的技术指标是最强的，但在进度上确实已经落后于台积电、三星，现在量产了10nm工艺，台积电已经是第二代5nm工艺了，明年还有3nm工艺。

工艺命名上始终落后对手，对intel来说宣传很不利，早前网友调侃说intel应该把10nm改成7nm，毕竟他们的晶体管指标确实达到甚至超过了台积电7nm的水平，没想到这个调侃成真，intel这次真的改名了，但改的方式也有点独特。

此前的10nm enhanced superfin工艺改为intel 7——对，没有7nm字样，官方就叫做intel 7，你当7nm也行，但intel没明确说是7nm，这次就是改了，但又没改。

相比tiger lake上的10nm superfin工艺，intel 7工艺的每瓦性能提升10-15%（注意intel介绍性能提升的方式也变了，说的是每瓦性能），首先应用于今年底的alder lake，数据中心处理器sapphire rapids则会在明年用上intel 7工艺。

intel原先的7nm工艺则会改名为intel 4，这会是intel首个应用euv光刻工艺的finfet工艺，每瓦性能提升20%，2022年下半年开始生产，2023年产品出货，就是之前的7nm meteor lake处理器。

intel 4工艺之后是intel 3工艺，是最后一代finfet工艺，每瓦性能提升18%，2023年下半年开始生产。

再往后intel也会放弃finfet晶体管技术，转向gaa晶体管，新工艺名为intel 20a，会升级到两大突破性技术——powervia、ribbonfet，前者是intel独创的供电技术，后者是gaa晶体管的intel技术实现，预计2024年问世。

2025年及之后的工艺还在开发中，命名为intel 18a，会继续改进ribbonfet工艺，同时会用上asml下一代的高na euv光刻机，量产时间不定。

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