国产Longsys DDR5内存横空出世!多项实测数据首次公开
2020年7月中旬jedec固态存储协会正式发布ddr5 sdram内存标准规范后,ddr5新技术应用受到业内的关注以及专业领域的探索。
江波龙电子今天正式发布longsys ddr5内存模组产品(es1)。涉及两款全新架构产品原型,分别是1rank x8和2rank x8标准型pc unbuffered dimm 288pin on-die-ecc。相较于ddr4,ddr5在功能和性能上都得到了显著提升。
此外,部分测试数据首次面向公众公开。其中,展示的测试实例采用了intel alderlake-s adp-s crb开发板,搭配longsys ddr5 32gb 6400内存模组,并配置windows 10 pro x64操作系统,分别通过鲁大师和aida64两个熟知的软件展示ddr5的真实数据。
(通过bios了解到ddr5新架构采用了两个完全独立的32位通道)
1、鲁大师测试数据
首先呈现的是硬件配置,内存识别为longsys id。
通过鲁大师测试,longsys ddr5 32gb 6400的跑分高达19万分有余。
2、aida64测试数据
通过测试,能够获取到longsys ddr5 32gb 6400读/写/拷贝/延迟的性能跑分。
为了更加直观地体现性能的提升力度,还加入了ddr4的测试对比。根据数据显示,longsys ddr5在性能上实现了跨越式提升。
纠错能力增加
在优化ddr5 dram内核运算能力上,longsys ddr5增加内置纠错码(ecc),全面实现数据纠错能力,进一步提高数据完整性,同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用dram读写的高效机制。
增加16n的预取模式
bl16使得longsys ddr5内存的并发性在ddr4的基础上提升了一倍,信号能够更完整高效地传递。本次ddr5 dimm新架构采用了两个完全独立的32位通道,提高了并发性,并使系统中可用的内存通道增加了一倍。
端到端的接收模式的强化
在ddr5新技术应用中除了dq/dqs/dm继续采用odt功能,增加ca、cs类信号也使用了odt。因此,longsys ddr5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应,让信号传输更加纯净。
ddr5 bank group 翻倍
ddr5内存使bank group的数量增加了一倍,并且每个group的bank数量保持不变。longsys ddr5 bg提供更少的访问延迟,加倍提高了系统的整体效率,允许更多页面同时被打开。
same-bank refresh刷新模式
longsys ddr5根据标准还实现了一个新特性,称为same-bank refresh(同步刷新)。此命令允许刷新每个bg中的一个bank,使所有其他banks保持打开状态以继续正常操作。
未来的应用场景不断革新和进步,对存储技术提出了更严苛的要求,亦大大加速了ddr5发展进程,各大主流平台对于ddr5的支持也推进迅速。
据悉,intel方面预计今年第三季度就有支持ddr5的平台上市。而驱动dram内存市场向ddr5升级的动力来自对带宽有强烈需求的专业应用领域,比如服务器、云计算、数据中心、高性能计算机等应用领域均有望得到重点部署,此次迭代也为行业客户提供了更出色的内存解决方案。
截止2021年3月12日,longsys申请专利总数达到838个,其中*专利申请178项;已授权且维持有效专利411项、其中*授权且维持有效专利83项;软件著作权65项。
据悉,今年longsys内存产品线仍将精益求精,持续提供更多的ddr5产品规格和技术服务。
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