AMD公布3D封装技术：处理器与内存、缓存通过硅穿孔堆叠在一起

目前的智能手机普遍实现了处理器soc和内存（dram）的堆叠式封装（pop），从amd日前公布的信息来看，pc产品也有望实现类似的技术。

在rice oil&gas高性能计算会议上，amd高级副总裁forrest norrod介绍，他们正跟进3d封装技术，目标是将dram/sram（即缓存等）和处理器（cpu/gpu）通过tsv（硅穿孔）的方式整合在一颗芯片中。

其实此前，amd就率先推出了hbm显存产品，实现了gpu芯片和显存芯片整合封装，但那仅仅属于2.5d方案。

3d堆叠的好处在于缩短了电流传递路径，也就是会降低功耗。不过，3d封装的挑战在于如何控制发热。

遗憾的是，amd并未公布更多技术细节。

amd称，虽然光刻工艺在精进，但是频率甚至要开始走下坡路，需要一些新的设计助力。

其实intel今年也公布了名为foveros的3d芯片封装技术，将22nm i/o基板、10nm sunny core和四核atom整合在一起，功耗仅7瓦。