闪存“盖楼”新纪录 三星下一代V-NAND将突破200层：未来可达1000层

自从闪存进入3d时代，堆栈层数犹如摩天大楼一样越来越高，从最初的24/32层一路堆到了现在的128层甚至176层。三星下一代的第八代v-nand闪存有望超过200层，未来还可以做到1000层。

目前全球半导体芯片产能紧张，nand闪存本身也是牛市周期，三星准备借此机会扩大生产规模，现在韩国平泽市的存储芯片工厂已经是全球最大的，三星计划建设第二座平泽工厂。

在闪存技术上，三星的128层v-nand闪存已经量产，2021年下半年则会量产第7代v-nand闪存，堆栈层数提升到176层。

在“盖楼”层数上，三星实际上已经落后于美光，后者在去年底就推出了176层3d闪存，并且量产了，三星现在要奋起直追了。

超越美光的希望就是再下一代的第8代v-nand闪存，堆栈层数有望超过200层，不过三星没公布具体情况，预计要到明年下半年才有可能量产。

至于未来的层数还能堆多高，早前有消息称超过500层的话就会遇到难以克服的瓶颈，是当前3d堆栈的极限了，但三星的目标是希望超过1000层，这个就需要很多技术突破了。

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