不同的内存颗粒封装的方式有什么区别？[问题详解]
颗粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。
随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。芯片的封装技术多种多样，有dip、pofp、tsop、bga、qfp、csp等等，种类不下三十种，经历了从dip、tsop到bga的发展历程。芯片的封装技术已经历了几代的变革，性能日益先进，芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便。
dip封装
上个世纪的70年代，芯片封装基本都采用dip（dual ln-line package，双列直插式封装）封装，此封装形式在当时具有适合pcb（印刷电路板）穿孔安装，布线和操作较为方便等特点。dip封装的结构形式多种多样，包括多层陶瓷双列直插式dip，单层陶瓷双列直插式dip，引线框架式dip等。但dip封装形式封装效率是很低的，其芯片面积和封装面积之比为1：1.86，这样封装产品的面积较大，内存条pcb板的面积是固定的，封装面积越大在内存上安装芯片的数量就越少，内存条容量也就越小。同时较大的封装面积对内存频率、传输速率、电器性能的提升都有影响。理想状态下芯片面积和封装面积之比为1：1将是最好的，但这是无法实现的，除非不进行封装，但随着封装技术的发展，这个比值日益接近，现在已经有了1：1.14的内存封装技术。
tsop封装
到了上个世纪80年代，内存第二代的封装技术tsop出现，得到了业界广泛的认可，时至今日仍旧是内存封装的主流技术。tsop是“thin small outline package”的缩写，意思是薄型小尺寸封装。tsop内存是在芯片的周围做出引脚，采用smt技术（表面安装技术）直接附着在pcb板的表面。tsop封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。同时tsop封装具有成品率高，价格便宜等优点，因此得到了极为广泛的应用。
tsop封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在pcb板上的，焊点和pcb板的接触面积较小，使得芯片向pcb办传热就相对困难。而且tsop封装方式的内存在超过150mhz后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。
bga封装
20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，i/o引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，bga封装开始被应用于生产。bga是英文ball grid array package的缩写，即球栅阵列封装。
采用bga技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，bga与tsop相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。bga封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用bga封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有tsop封装的三分之一；另外，与传统tsop封装方式相比，bga封装方式有更加快速和有效的散热途径。
bga封装的i/o端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，bga技术的优点是i/o引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但bga能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
说到bga封装就不能不提kingmax公司的专利tinybga技术，tinybga英文全称为tiny ball grid array（小型球栅阵列封装），属于是bga封装技术的一个分支,是kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与tsop封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
采用tinybga封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有tsop封装的1/3。tsop封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而tinybga则是由芯片中心方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的tsop技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用tinybga封装芯片可抗高达300mhz的外频，而采用传统tsop封装技术最高只可抗150mhz的外频。
tinybga封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，tinybga内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。
csp封装
csp（chip scale package），是芯片级封装的意思。csp封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。csp封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的bga的1/3，仅仅相当于tsop内存芯片面积的1/6。与bga封装相比，同等空间下csp封装可以将存储容量提高三倍。
csp封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。
csp封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得csp的存取时间比bga改善15%－20%。在csp的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在pcb板上，由于焊点和pcb板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到pcb板上并散发出去。csp封装可以从背面散热，且热效率良好，csp的热阻为35℃/w，而tsop热阻40℃/w。