BIOS的工作原理
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2022-07-09 09:25:13
BIOS的工作原理讲到BIOS的工作原理，我们先来介绍一下BIOS系统的两类载体：EPROM和EEPROM的相关知识。EPROM--可擦除可编程只读存储器，从外观上可以看见，在芯片的*有一个透明的小窗口，紫外线光... 09-04-21...
讲到bios的工作原理，我们先来介绍一下bios系统的两类载体：
eprom和eeprom的相关知识。
eprom--可擦除可编程只读存储器，从外观上可以看见，在芯片的*有一个透明的小窗口，紫外线光即是通过这个小窗口将芯片上保存的信息擦除掉的，因为在日光和荧光中都含有紫外线，因此，我们通常用一块不透明的标签将已保存了信息的eprom芯片的紫外线窗口封住。
当然，写入eprom芯片时，我们首先必须先用紫外线擦除器将eprom中的信息清除掉，使它变为空的芯片后才能进行写操作，应该说明的是这里“空芯片”的“空”并非我们通常意义上的“空白”，而是此时芯片内部变为全“1”信息，因此，芯片的写入原理实际上是将指定位置上的“1”改为“0”。到这里，有的朋友一定想问：既然日光和荧光均含有紫外线，为什么我们不让eprom芯片在这些光线下暴露一段时间来擦除呢？要知道，完全擦除一块eprom中的内容，在日光下至少要一周，在室内荧光下至少要三年了！而且随着芯片容量的增大，时间也得相应拉长。eeprom是电可擦除可编程只读存储器。
在平常情况下，eeprom与eprom一样是只读的，需要写入时，在指定的引脚加上一个高电压即可写入或擦除，而且其擦除的速度极快！通常eeprom芯片又分为串行eeprom和并行eeprom两种，串行eeprom在读写时数据的输入／输出是通过2线、3线、4线或spi总线等接口方式进行的，而并行eeprom的数据输入／输出则是通过并行总线进行的。
另外还有一种eeprom即是我们现在主板上常见到的flash rom--闪速存储器，其读写速度更快，更可靠，而且可以用单电压进行读写和编程，为便携式设备的在线操作提供了极大的便利，也因此广泛应用在计算机主板上。
通常，486以及486档次以下电脑的bios芯片基本上均是eprom芯片，而586以及pⅱ、pⅲ档次的bios芯片基本上均是eeprom。另外我们也可以从bios芯片上的型号来识别：像27c010、27c512等以“27”打头的芯片均是eprom，而28c010、29c010、29c020、29c040等，均为eeprom，其中28c010是128k×8，即1m比特并行eeprom，29c010是128k×8（1m比特）、29c020是256k×8（2m比特）、29c040是512k×8（4m比特）的flash rom。串行eeprom在计算机主板上较少见，而提供这些芯片的厂家多为mx、winbond、atmel等厂家。应注意的是：不同厂家生产的芯片命名方式不同。以上介绍的芯片是以atmel公司的产品为例。
下面我们以当前最常见的at29c020为例，介绍一下bios的工作原理和程序的烧录过程。
at29c020是atmel公司生产的256k×8的flash rom芯片，采用单5v供电，由于at29c020的容量为256k×8，所以需要18根地址线来寻址，也即图中a0～a17，而其输出是8位并行输出，需要8位双向数据线，即图中d0～d7，另外图中还有几个用于控制芯片工作状态的引脚。“we”引脚是控制芯片写入的使能端，“oe”引脚是控制芯片输出数据的使能端，这两个引脚控制芯片在选中后的工作状态，“ce”引脚为芯片的片选端。当处理器需要对该芯片进行读写操作时，首先必须选中该芯片，即在“ce”端送出低电平，然后，再根据是读指令还是写指令，而将相应的“we”引脚或“oe”引脚拉至低电平，同时处理器要通过a0～a17地址线送出待读取或写入芯片指定的存储单元的地址，at29c020芯片就将该存储单元中的数据读出到数据线d0～d7上或者将数据线d0～d7上的数据写入到指定的存储单元中，从而就完成了一次读或写操作。
当上电后，计算机即从bios芯片中读取出指令代码进行系统硬件的自检（含bios程序完整性检验、ram可读写性检验、进行cpu、dma控制器等部件测试）。对pnp设备进行检测和确认，然后依次从各个pnp部件上读出相应部件正常工作所需的系统资源数据等配置信息。bios中的pnp模块试图建立不冲突的资源分配表，使得所有的部件都能正常地工作。配置完成之后，系统要将所有的配置数据即escd--extended system config data写入bios中，这就是为什么我们在开机时看到主机启动进入windows前出现一系列检测：配置内存、硬盘、光驱、声卡等，而后出现的“update escd..successed”等提示信息。所有这些检测完成后，bios将系统控制权移交给系统的引导模块，由它完成操作系统的装入。
cmos工作原理
什么是cmos-ic？
金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor)结构的晶体管简称mos晶体管，有p型mos管和n型mos管之分。由 mos管构成的集成电路称为mos集成电路，而由pmos管和nmos管共同构成的互补型mos集成电路即为 cmos-ic（ complementary mos integrated circuit）。
cmos集成电路的性能特点
微功耗—cmos电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
高噪声容限—cmos电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
宽工作电压范围—cmos电路的电源电压一般为1.5~18伏。
高逻辑摆幅—cmos电路输出高、低电平的幅度达到全电为vdd，逻辑“0”为vss。
高输入阻抗--cmos电路的输入阻抗大于108ω,一般可达1010ω。
高扇出能力--cmos电路的扇出能力大于50。
低输入电容--cmos电路的输入电容一般不大于5pf。
宽工作温度范围—陶瓷封装的cmos电路工作温度范围为
- 55 0c ~ 125 0c；塑封的cmos电路为 – 40 0c ~ 85 0c。
为什么cmos电路的直流功耗几近于零？
讲到bios的工作原理，我们先来介绍一下bios系统的两类载体：eprom和eeprom的相关知识。eprom--可擦除可编程只读存储器，从外观上可以看见，在芯片的*有一个透明的小窗口，紫外线光即是通过这个小窗口将芯片上保存的信息擦除掉的，因为在日光和荧光中都含有紫外线，因此，我们通常用一块不透明的标签将已保存了信息的eprom芯片的紫外线窗口封住。当然，写入eprom芯片时，我们首先必须先用紫外线擦除器将eprom中的信息清除掉，使它变为空的芯片后才能进行写操作，应该说明的是这里“空芯片”的“空”并非我们通常意义上的“空白”，而是此时芯片内部变为全“1”信息，因此，芯片的写入原理实际上是将指定位置上的“1”改为“0”。到这里，有的朋友一定想问：既然日光和荧光均含有紫外线，为什么我们不让eprom芯片在这些光线下暴露一段时间来擦除呢？要知道，完全擦除一块eprom中的内容，在日光下至少要一周，在室内荧光下至少要三年了！而且随着芯片容量的增大，时间也得相应拉长。eeprom是电可擦除可编程只读存储器。在平常情况下，eeprom与eprom一样是只读的，需要写入时，在指定的引脚加上一个高电压即可写入或擦除，而且其擦除的速度极快！通常eeprom芯片又分为串行eeprom和并行eeprom两种，串行eeprom在读写时数据的输入／输出是通过2线、3线、4线或spi总线等接口方式进行的，而并行eeprom的数据输入／输出则是通过并行总线进行的。另外还有一种eeprom即是我们现在主板上常见到的flash rom--闪速存储器，其读写速度更快，更可靠，而且可以用单电压进行读写和编程，为便携式设备的在线操作提供了极大的便利，也因此广泛应用在计算机主板上。
通常，486以及486档次以下电脑的bios芯片基本上均是eprom芯片，而586以及pⅱ、pⅲ档次的bios芯片基本上均是eeprom。另外我们也可以从bios芯片上的型号来识别：像27c010、27c512等以“27”打头的芯片均是eprom，而28c010、29c010、29c020、29c040等，均为eeprom，其中28c010是128k×8，即1m比特并行eeprom，29c010是128k×8（1m比特）、29c020是256k×8（2m比特）、29c040是512k×8（4m比特）的flash rom。串行eeprom在计算机主板上较少见，而提供这些芯片的厂家多为mx、winbond、atmel等厂家。应注意的是：不同厂家生产的芯片命名方式不同。以上介绍的芯片是以atmel公司的产品为例。
下面我们以当前最常见的at29c020为例，介绍一下bios的工作原理和程序的烧录过程。//本文来自www.jb51.net
at29c020是atmel公司生产的256k×8的flash rom芯片，采用单5v供电，由于at29c020的容量为256k×8，所以需要18根地址线来寻址，也即图中a0～a17，而其输出是8位并行输出，需要8位双向数据线，即图中d0～d7，另外图中还有几个用于控制芯片工作状态的引脚。“we”引脚是控制芯片写入的使能端，“oe”引脚是控制芯片输出数据的使能端，这两个引脚控制芯片在选中后的工作状态，“ce”引脚为芯片的片选端。当处理器需要对该芯片进行读写操作时，首先必须选中该芯片，即在“ce”端送出低电平，然后，再根据是读指令还是写指令，而将相应的“we”引脚或“oe”引脚拉至低电平，同时处理器要通过a0～a17地址线送出待读取或写入芯片指定的存储单元的地址，at29c020芯片就将该存储单元中的数据读出到数据线d0～d7上或者将数据线d0～d7上的数据写入到指定的存储单元中，从而就完成了一次读或写操作。
当上电后，计算机即从bios芯片中读取出指令代码进行系统硬件的自检（含bios程序完整性检验、ram可读写性检验、进行cpu、dma控制器等部件测试）。对pnp设备进行检测和确认，然后依次从各个pnp部件上读出相应部件正常工作所需的系统资源数据等配置信息。bios中的pnp模块试图建立不冲突的资源分配表，使得所有的部件都能正常地工作。配置完成之后，系统要将所有的配置数据即escd--extended system config data写入bios中，这就是为什么我们在开机时看到主机启动进入windows前出现一系列检测：配置内存、硬盘、光驱、声卡等，而后出现的“update escd..successed”等提示信息。所有这些检测完成后，bios将系统控制权移交给系统的引导模块，由它完成操作系统的装入。
cmos工作原理
什么是cmos-ic？
金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor)结构的晶体管简称mos晶体管，有p型mos管和n型mos管之分。由 mos管构成的集成电路称为mos集成电路，而由pmos管和nmos管共同构成的互补型mos集成电路即为 cmos-ic（ complementary mos integrated circuit）。
cmos集成电路的性能特点
微功耗—cmos电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
高噪声容限—cmos电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
宽工作电压范围—cmos电路的电源电压一般为1.5~18伏。
高逻辑摆幅—cmos电路输出高、低电平的幅度达到全电为vdd，逻辑“0”为vss。
高输入阻抗--cmos电路的输入阻抗大于108ω,一般可达1010ω。
高扇出能力--cmos电路的扇出能力大于50。
低输入电容--cmos电路的输入电容一般不大于5pf。
宽工作温度范围—陶瓷封装的cmos电路工作温度范围为
- 55 0c ~ 125 0c；塑封的cmos电路为 – 40 0c ~ 85 0c。
为什么cmos电路的直流功耗几近于零？
jedec最低工业标准
jedec最低标准是电子工业协会（eia）联合电子器件工程委员会（jedec）主持下制定的cmos集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为jedec制定的cmos集成电路的最大额定范围：
电源电压 vdd~vss 18 ~ -0.5 v(dc)
直流输入电流 iin 士10 ma(dc)
输入电压 vi vss ≤vi ≤ vdd 0.5 v(dc)
器件功耗 pd 200 wm
工作温度范围 t -55~125(陶封)，-40~85（塑封） oc
存储温度范围 tstg -65 ~ 150 0c
输入/输出信号规则
所有的cmos电路的输入端不能浮置，最好使用一个上拉或下拉电阻，以保护器件不受损害。
在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10ma。
输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入cmos开关电路。
避免cmos电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致cmos电路的功耗超过规范值。
cmos缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容（≥500pf）时等效于输出短路的情况。
cmos电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的pmos管和导通的nmos管的低输出阻抗会将电源短路。
主要封装形式
双列直插（dip封装）
扁平封装（plcc封装）
eprom和eeprom的相关知识。
eprom--可擦除可编程只读存储器，从外观上可以看见，在芯片的*有一个透明的小窗口，紫外线光即是通过这个小窗口将芯片上保存的信息擦除掉的，因为在日光和荧光中都含有紫外线，因此，我们通常用一块不透明的标签将已保存了信息的eprom芯片的紫外线窗口封住。
当然，写入eprom芯片时，我们首先必须先用紫外线擦除器将eprom中的信息清除掉，使它变为空的芯片后才能进行写操作，应该说明的是这里“空芯片”的“空”并非我们通常意义上的“空白”，而是此时芯片内部变为全“1”信息，因此，芯片的写入原理实际上是将指定位置上的“1”改为“0”。到这里，有的朋友一定想问：既然日光和荧光均含有紫外线，为什么我们不让eprom芯片在这些光线下暴露一段时间来擦除呢？要知道，完全擦除一块eprom中的内容，在日光下至少要一周，在室内荧光下至少要三年了！而且随着芯片容量的增大，时间也得相应拉长。eeprom是电可擦除可编程只读存储器。
在平常情况下，eeprom与eprom一样是只读的，需要写入时，在指定的引脚加上一个高电压即可写入或擦除，而且其擦除的速度极快！通常eeprom芯片又分为串行eeprom和并行eeprom两种，串行eeprom在读写时数据的输入／输出是通过2线、3线、4线或spi总线等接口方式进行的，而并行eeprom的数据输入／输出则是通过并行总线进行的。
另外还有一种eeprom即是我们现在主板上常见到的flash rom--闪速存储器，其读写速度更快，更可靠，而且可以用单电压进行读写和编程，为便携式设备的在线操作提供了极大的便利，也因此广泛应用在计算机主板上。
通常，486以及486档次以下电脑的bios芯片基本上均是eprom芯片，而586以及pⅱ、pⅲ档次的bios芯片基本上均是eeprom。另外我们也可以从bios芯片上的型号来识别：像27c010、27c512等以“27”打头的芯片均是eprom，而28c010、29c010、29c020、29c040等，均为eeprom，其中28c010是128k×8，即1m比特并行eeprom，29c010是128k×8（1m比特）、29c020是256k×8（2m比特）、29c040是512k×8（4m比特）的flash rom。串行eeprom在计算机主板上较少见，而提供这些芯片的厂家多为mx、winbond、atmel等厂家。应注意的是：不同厂家生产的芯片命名方式不同。以上介绍的芯片是以atmel公司的产品为例。
下面我们以当前最常见的at29c020为例，介绍一下bios的工作原理和程序的烧录过程。
at29c020是atmel公司生产的256k×8的flash rom芯片，采用单5v供电，由于at29c020的容量为256k×8，所以需要18根地址线来寻址，也即图中a0～a17，而其输出是8位并行输出，需要8位双向数据线，即图中d0～d7，另外图中还有几个用于控制芯片工作状态的引脚。“we”引脚是控制芯片写入的使能端，“oe”引脚是控制芯片输出数据的使能端，这两个引脚控制芯片在选中后的工作状态，“ce”引脚为芯片的片选端。当处理器需要对该芯片进行读写操作时，首先必须选中该芯片，即在“ce”端送出低电平，然后，再根据是读指令还是写指令，而将相应的“we”引脚或“oe”引脚拉至低电平，同时处理器要通过a0～a17地址线送出待读取或写入芯片指定的存储单元的地址，at29c020芯片就将该存储单元中的数据读出到数据线d0～d7上或者将数据线d0～d7上的数据写入到指定的存储单元中，从而就完成了一次读或写操作。
当上电后，计算机即从bios芯片中读取出指令代码进行系统硬件的自检（含bios程序完整性检验、ram可读写性检验、进行cpu、dma控制器等部件测试）。对pnp设备进行检测和确认，然后依次从各个pnp部件上读出相应部件正常工作所需的系统资源数据等配置信息。bios中的pnp模块试图建立不冲突的资源分配表，使得所有的部件都能正常地工作。配置完成之后，系统要将所有的配置数据即escd--extended system config data写入bios中，这就是为什么我们在开机时看到主机启动进入windows前出现一系列检测：配置内存、硬盘、光驱、声卡等，而后出现的“update escd..successed”等提示信息。所有这些检测完成后，bios将系统控制权移交给系统的引导模块，由它完成操作系统的装入。
cmos工作原理
什么是cmos-ic？
金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor)结构的晶体管简称mos晶体管，有p型mos管和n型mos管之分。由 mos管构成的集成电路称为mos集成电路，而由pmos管和nmos管共同构成的互补型mos集成电路即为 cmos-ic（ complementary mos integrated circuit）。
cmos集成电路的性能特点
微功耗—cmos电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
高噪声容限—cmos电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
宽工作电压范围—cmos电路的电源电压一般为1.5~18伏。
高逻辑摆幅—cmos电路输出高、低电平的幅度达到全电为vdd，逻辑“0”为vss。
高输入阻抗--cmos电路的输入阻抗大于108ω,一般可达1010ω。
高扇出能力--cmos电路的扇出能力大于50。
低输入电容--cmos电路的输入电容一般不大于5pf。
宽工作温度范围—陶瓷封装的cmos电路工作温度范围为
- 55 0c ~ 125 0c；塑封的cmos电路为 – 40 0c ~ 85 0c。
为什么cmos电路的直流功耗几近于零？
讲到bios的工作原理，我们先来介绍一下bios系统的两类载体：eprom和eeprom的相关知识。eprom--可擦除可编程只读存储器，从外观上可以看见，在芯片的*有一个透明的小窗口，紫外线光即是通过这个小窗口将芯片上保存的信息擦除掉的，因为在日光和荧光中都含有紫外线，因此，我们通常用一块不透明的标签将已保存了信息的eprom芯片的紫外线窗口封住。当然，写入eprom芯片时，我们首先必须先用紫外线擦除器将eprom中的信息清除掉，使它变为空的芯片后才能进行写操作，应该说明的是这里“空芯片”的“空”并非我们通常意义上的“空白”，而是此时芯片内部变为全“1”信息，因此，芯片的写入原理实际上是将指定位置上的“1”改为“0”。到这里，有的朋友一定想问：既然日光和荧光均含有紫外线，为什么我们不让eprom芯片在这些光线下暴露一段时间来擦除呢？要知道，完全擦除一块eprom中的内容，在日光下至少要一周，在室内荧光下至少要三年了！而且随着芯片容量的增大，时间也得相应拉长。eeprom是电可擦除可编程只读存储器。在平常情况下，eeprom与eprom一样是只读的，需要写入时，在指定的引脚加上一个高电压即可写入或擦除，而且其擦除的速度极快！通常eeprom芯片又分为串行eeprom和并行eeprom两种，串行eeprom在读写时数据的输入／输出是通过2线、3线、4线或spi总线等接口方式进行的，而并行eeprom的数据输入／输出则是通过并行总线进行的。另外还有一种eeprom即是我们现在主板上常见到的flash rom--闪速存储器，其读写速度更快，更可靠，而且可以用单电压进行读写和编程，为便携式设备的在线操作提供了极大的便利，也因此广泛应用在计算机主板上。
通常，486以及486档次以下电脑的bios芯片基本上均是eprom芯片，而586以及pⅱ、pⅲ档次的bios芯片基本上均是eeprom。另外我们也可以从bios芯片上的型号来识别：像27c010、27c512等以“27”打头的芯片均是eprom，而28c010、29c010、29c020、29c040等，均为eeprom，其中28c010是128k×8，即1m比特并行eeprom，29c010是128k×8（1m比特）、29c020是256k×8（2m比特）、29c040是512k×8（4m比特）的flash rom。串行eeprom在计算机主板上较少见，而提供这些芯片的厂家多为mx、winbond、atmel等厂家。应注意的是：不同厂家生产的芯片命名方式不同。以上介绍的芯片是以atmel公司的产品为例。
下面我们以当前最常见的at29c020为例，介绍一下bios的工作原理和程序的烧录过程。//本文来自www.jb51.net
at29c020是atmel公司生产的256k×8的flash rom芯片，采用单5v供电，由于at29c020的容量为256k×8，所以需要18根地址线来寻址，也即图中a0～a17，而其输出是8位并行输出，需要8位双向数据线，即图中d0～d7，另外图中还有几个用于控制芯片工作状态的引脚。“we”引脚是控制芯片写入的使能端，“oe”引脚是控制芯片输出数据的使能端，这两个引脚控制芯片在选中后的工作状态，“ce”引脚为芯片的片选端。当处理器需要对该芯片进行读写操作时，首先必须选中该芯片，即在“ce”端送出低电平，然后，再根据是读指令还是写指令，而将相应的“we”引脚或“oe”引脚拉至低电平，同时处理器要通过a0～a17地址线送出待读取或写入芯片指定的存储单元的地址，at29c020芯片就将该存储单元中的数据读出到数据线d0～d7上或者将数据线d0～d7上的数据写入到指定的存储单元中，从而就完成了一次读或写操作。
当上电后，计算机即从bios芯片中读取出指令代码进行系统硬件的自检（含bios程序完整性检验、ram可读写性检验、进行cpu、dma控制器等部件测试）。对pnp设备进行检测和确认，然后依次从各个pnp部件上读出相应部件正常工作所需的系统资源数据等配置信息。bios中的pnp模块试图建立不冲突的资源分配表，使得所有的部件都能正常地工作。配置完成之后，系统要将所有的配置数据即escd--extended system config data写入bios中，这就是为什么我们在开机时看到主机启动进入windows前出现一系列检测：配置内存、硬盘、光驱、声卡等，而后出现的“update escd..successed”等提示信息。所有这些检测完成后，bios将系统控制权移交给系统的引导模块，由它完成操作系统的装入。
cmos工作原理
什么是cmos-ic？
金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor)结构的晶体管简称mos晶体管，有p型mos管和n型mos管之分。由 mos管构成的集成电路称为mos集成电路，而由pmos管和nmos管共同构成的互补型mos集成电路即为 cmos-ic（ complementary mos integrated circuit）。
cmos集成电路的性能特点
微功耗—cmos电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
高噪声容限—cmos电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
宽工作电压范围—cmos电路的电源电压一般为1.5~18伏。
高逻辑摆幅—cmos电路输出高、低电平的幅度达到全电为vdd，逻辑“0”为vss。
高输入阻抗--cmos电路的输入阻抗大于108ω,一般可达1010ω。
高扇出能力--cmos电路的扇出能力大于50。
低输入电容--cmos电路的输入电容一般不大于5pf。
宽工作温度范围—陶瓷封装的cmos电路工作温度范围为
- 55 0c ~ 125 0c；塑封的cmos电路为 – 40 0c ~ 85 0c。
为什么cmos电路的直流功耗几近于零？
jedec最低工业标准
jedec最低标准是电子工业协会（eia）联合电子器件工程委员会（jedec）主持下制定的cmos集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为jedec制定的cmos集成电路的最大额定范围：
电源电压 vdd~vss 18 ~ -0.5 v(dc)
直流输入电流 iin 士10 ma(dc)
输入电压 vi vss ≤vi ≤ vdd 0.5 v(dc)
器件功耗 pd 200 wm
工作温度范围 t -55~125(陶封)，-40~85（塑封） oc
存储温度范围 tstg -65 ~ 150 0c
输入/输出信号规则
所有的cmos电路的输入端不能浮置，最好使用一个上拉或下拉电阻，以保护器件不受损害。
在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10ma。
输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入cmos开关电路。
避免cmos电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致cmos电路的功耗超过规范值。
cmos缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容（≥500pf）时等效于输出短路的情况。
cmos电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的pmos管和导通的nmos管的低输出阻抗会将电源短路。
主要封装形式
双列直插（dip封装）
扁平封装（plcc封装）
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